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一种基于关断电压vCE的压接式IGBT芯片表面压力分布均匀性无损监测方法
A Noninvasive Monitoring Method for Uniformity of Pressure Distribution on the Chip Surface in Single-Chip Press-Pack IGBTs With Turn-Off vCE
| 作者 | Tianchen Li · Feng He · Yiming Zhang · Xuebao Li · Zhibin Zhao · Lei Qi · Xiang Cui |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 预计 2026年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 压接式 IGBT 压力分布 可靠性 无损监测 关断电压 vCE 电力电子 |
语言:
中文摘要
压接式IGBT（PPI）芯片表面的压力分布均匀性直接影响其可靠性。目前主流的压力膜测试法具有侵入性且局限性大。本文提出了一种基于电气参数的无损监测方法，通过监测关断过程中的集电极-发射极电压（vCE）特征，实现对单芯片PPI压力分布均匀性的实时评估。
English Abstract
In a press-pack insulated gate bipolar transistor (PPI), the uniformity of pressure distribution on the chip surface significantly impacts its reliability. Currently, this uniformity is primarily assessed by pressure film, which is invasive and limited. This article proposes an electrical parameter method for monitoring uniformity of pressure distribution on the chip surface in single-chip PPIs of...
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SunView 深度解读
该研究对于阳光电源的高功率密度产品线（如集中式光伏逆变器和大型储能系统PowerTitan系列）具有重要参考价值。压接式IGBT在兆瓦级功率变换器中应用广泛，其压力分布直接决定了模块的散热性能与寿命。通过引入该无损监测技术，阳光电源可在iSolarCloud智能运维平台中集成功率模块健康状态评估功能，实现从“事后维修”向“预测性维护”的转变，显著提升大型电站及储能系统的长期运行可靠性，降低运维成本。