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考虑时变体电阻和反向恢复电导的精确振荡动态Si IGBT模型
Dynamic Si IGBT Model With Accurate Ringing Considering Time-Varying Bulk Resistance and Reverse Recovery Conductance
| 作者 | Yi Yu · Xuejun Pei · Peng Zhou |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 多物理场耦合 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | Si IGBT EMI建模 开关器件模型 振铃效应 体电阻 反向恢复电导 电力电子 |
语言:
中文摘要
作为电力电子系统电磁干扰（EMI）建模的核心，高精度开关器件模型对预测EMI源至关重要。针对现有Si IGBT行为模型在表征开关振荡效应方面精度不足的问题，本文提出了一种动态Si IGBT模型，通过考虑时变体电阻和反向恢复电导，显著提升了对开关过程振荡特性的预测精度。
English Abstract
As the core of system electromagnetic interference (EMI) modeling in power electronics, the prediction of EMI sources requires high-precision switching device models. However, existing switching device behavioral models have limitations in characterizing the turn-on and turn-off ringing effects of Si IGBT. To address the problem of poor ringing accuracy in existing models, a dynamic Si IGBT model ...
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SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan储能变流器）的EMI优化设计。在兆瓦级储能系统及高功率密度逆变器开发中，开关振荡是导致EMI超标和器件应力过大的关键因素。该高精度模型能有效指导硬件电路的PCB布局与驱动参数优化，减少现场调试中的电磁兼容整改成本。建议研发团队将其集成至仿真平台，用于评估大功率IGBT模块在复杂工况下的开关行为，从而提升产品在严苛电网环境下的可靠性与电磁兼容性能。