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压接式IGBT器件内部并联芯片电流均流特性的实验研究
Experimental Investigations on Current Sharing Characteristics of Parallel Chips Inside Press-Pack IGBT Devices
| 作者 | Cheng Peng · Xuebao Li · Jiayu Fan · Zhibin Zhao · Xinling Tang · Xiang Cui |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 多物理场耦合 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 压接式IGBT 电流均衡 并联芯片 功率密度 杂散电感 温度 机械压力 |
语言:
中文摘要
压接式IGBT通过并联多个芯片提升功率密度，但杂散电感、温度及机械压力等外部因素导致的电流不平衡限制了功率提升。本文针对多因素耦合带来的解耦难题，对压接式IGBT内部芯片的电流均流特性进行了实验研究。
English Abstract
Press-pack insulated gate bipolar transistor (IGBT) devices have multiple chips paralleled to enhance their power density. However, the current imbalance among chips limits the increase of the power, which is mainly attributed to external factors, like stray inductance, temperature, and mechanical pressure. Besides, for the difficulties in decoupling multiple external factors, the current imbalanc...
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SunView 深度解读
压接式IGBT是阳光电源大功率集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）的核心功率器件。电流均流特性直接决定了器件的通流能力、热应力分布及长期运行可靠性。本文的研究方法有助于优化阳光电源在大功率变换器设计中的模块封装布局与驱动电路设计，通过精确控制机械压力与热分布，提升系统功率密度并降低失效风险。建议研发团队参考该实验方法，对高压大功率模块进行多物理场耦合仿真与验证，以增强产品在极端工况下的稳定性。