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正弦方波电压下高压IGBT模块绝缘结构局部放电特性与识别
Characteristics and Identification of Partial Discharge for Insulation Structures in High Voltage IGBT Modules Under Positive Square Wave Voltage
| 作者 | Xiangchen Liu · Xuebao Li · Chao Li · Jinjin Cheng · Zhaocheng Liu · Zhibin Zhao · Xiang Cui · Xiaoguang Wei · Xinling Tang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 多物理场耦合 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT模块 局部放电 绝缘 方波电压 可靠性 电力电子 绝缘缺陷 |
语言:
中文摘要
IGBT模块绝缘是制约其发展的关键因素。本文针对正弦方波电压下的局部放电（PD）测量与绝缘缺陷识别进行了研究，搭建了实验平台，分析了三种主要的绝缘缺陷，为高压功率模块的绝缘设计与可靠性评估提供了理论支撑。
English Abstract
The insulation of insulated gate bipolar transistor (IGBT) modules is one of the key constraint factors in module development. It is significant to realize the accurate measurement of partial discharge (PD) and its identification of the insulation weaknesses under positive square wave voltage. In this article, a PD experimental platform under this voltage is established. Three main possible insula...
S
SunView 深度解读
该研究直接关系到阳光电源核心产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）中功率模块的长期可靠性。随着阳光电源产品向更高电压等级（如1500V及以上）演进，高频方波电压下的绝缘老化与局部放电问题愈发突出。建议研发团队将该PD检测方法引入功率模块的选型测试与失效分析流程中，优化模块封装工艺，提升在高压、高频工况下的绝缘寿命，从而降低现场运维故障率，提升iSolarCloud平台的系统健康度评估精度。