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并联芯片与并联半桥对多芯片功率模块瞬态电流分布的影响
Influence of Paralleling Dies and Paralleling Half-Bridges on Transient Current Distribution in Multichip Power Modules
| 作者 | Helong Li · Wei Zhou · Xiongfei Wang · Stig Munk-Nielsen · Daohui Li · Yangang Wang · Xiaoping Dai |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2018年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 IGBT 多物理场耦合 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 多芯片功率模块 瞬态电流分布 芯片并联 半桥并联 电流换流 电力电子 IGBT模块 |
语言:
中文摘要
本文研究了多芯片半桥功率模块中的瞬态电流分布问题,对比了并联芯片与并联半桥两种不同换流机制的连接方式。研究揭示了在并联芯片结构下,高低侧器件因换流回路差异会产生相似的瞬态电流不平衡,为功率模块的并联设计提供了理论依据。
English Abstract
This letter addresses the transient current distribution in the multichip half-bridge power modules, where two types of paralleling connections with different current commutation mechanisms are considered: paralleling dies and paralleling half-bridges. It reveals that with paralleling dies, both the high-side and low-side paralleled devices experience a similar transient current imbalance due to t...
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SunView 深度解读
该研究直接关系到阳光电源核心产品(如组串式逆变器、PowerTitan储能系统、风电变流器)中功率模块的选型与设计。在追求高功率密度和高效率的过程中,多芯片并联是提升模块电流能力的关键技术。文章揭示的瞬态电流不平衡机制,对于优化模块内部布局、减小寄生参数及提升功率器件的可靠性至关重要。建议研发团队在设计大功率PCS及逆变器模块时,参考该文关于并联方式的分析,以降低器件应力,提升系统在极端工况下的热稳定性和长效运行寿命。