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重复过流关断下1200V沟槽型IGBT的失效分析
Failure Analysis of 1200 V Trench IGBTs Under Repetitive Overcurrent Turn-OFF
| 作者 | Huanqi Li · Jiayu Fan · Zhonghao Dongye · Jiayi Shao · Xiangyu Zhang · Lei Qi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 可靠性分析 功率模块 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 沟槽型IGBT 过电流 关断 失效机理 可靠性 电力电子 |
语言:
中文摘要
随着构网型（Grid-forming）控制策略的普及，光伏与储能逆变器中的IGBT需频繁承受过流关断工况。本文针对1200V沟槽型IGBT在重复过流关断下的失效机理进行了深入研究，建立了等效实验电路，揭示了器件在极端工况下的退化规律，为电力电子系统的可靠性设计提供了理论支撑。
English Abstract
The insulated gate bipolar transistor (IGBT) is supposed to repetitively turn-off overcurrent, which is promoted by the popular grid-forming strategies of converters. This article investigates the failure mechanisms of trench IGBTs under repetitive overcurrent turn-off. First, an equivalent experimental circuit is established to conduct repetitive overcurrent turn-off tests on 1200 V IGBTs under d...
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SunView 深度解读
该研究直接关系到阳光电源核心产品（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统）的功率模块选型与可靠性设计。在构网型（GFM）应用场景下，逆变器需具备更强的故障穿越与过流处理能力，这对IGBT的耐受性提出了更高要求。建议研发团队参考该失效机理，优化驱动电路的过流保护策略，并将其纳入功率模块的寿命预测模型中，以提升产品在极端电网环境下的长期运行稳定性。