← 返回
基于栅极电压监测与分析的IGBT间接过流检测技术
Indirect IGBT Over-Current Detection Technique Via Gate Voltage Monitoring and Analysis
| 作者 | Xinchang Li · Dawei Xu · Hongyue Zhu · Xinhong Cheng · Yuehui Yu · Wai Tung Ng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 故障诊断 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 过流检测 栅极电压 硬开关故障 负载下故障 米勒平台 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于栅极电压波形分析的IGBT过流检测新方法。通过分析IGBT开通瞬态模式检测硬开关故障（HSF），并监测导通状态下的栅极电压以识别负载下的故障（FUL）。该方法通过提取关断期间的米勒平台电压，实现了对IGBT故障的有效监测。
English Abstract
This paper presents a new insulated gate bipolar transistor (IGBT) over-current detection method based on the analysis of the gate voltage waveform. The IGBT's gate voltage turn-on transient pattern is analyzed for the detection of IGBT hard switching fault (HSF). The on-state gate voltage is monitored to detect IGBT fault under load (FUL). The IGBT's turn-off Miller plateau voltage is extracted a...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统）具有极高的应用价值。IGBT作为功率变换的核心器件，其可靠性直接决定了产品的寿命与安全性。传统的过流检测通常依赖电流传感器，响应速度受限且成本较高。该技术通过栅极电压实现间接检测，能够显著提升逆变器及PCS在短路或过流工况下的保护响应速度，降低器件失效风险。建议研发团队在下一代高功率密度逆变器设计中引入该监测算法，以优化驱动电路设计，提升系统的整体可靠性与故障自诊断能力。