← 返回
基于关断延迟时间的高压大功率IGBT模块结温提取方法
Junction Temperature Extraction Approach With Turn-Off Delay Time for High-Voltage High-Power IGBT Modules
| 作者 | Haoze Luo · Yuxiang Chen · Pengfei Sun · Wuhua Li · Xiangning He |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2016年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 结温 TSEP IGBT 关断延迟时间 功率半导体 寄生电感 热监测 |
语言:
中文摘要
本文探讨了利用关断延迟时间作为热敏电参数（TSEP），实现高压大功率IGBT模块结温提取的方法。研究重点分析了开尔文发射极与功率发射极之间的寄生电感对该参数的影响，为功率半导体器件的实时结温监测提供了理论依据。
English Abstract
Thermo-sensitive electrical parameter (TSEP) approaches are widely employed in the junction temperature extraction and prediction of power semiconductor devices. In this paper, the turn-off delay time is explored as an indicator of a TSEP to extract the junction temperature from high-power insulated gate bipolar transistor (IGBT) modules. The parasitic inductor $L_{\rm eE}$ between the Kelvin and ...
S
SunView 深度解读
该研究对于阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统）具有极高的应用价值。大功率IGBT是上述产品的核心功率器件，其结温直接决定了系统的可靠性与寿命。通过关断延迟时间实现非侵入式的实时结温监测，可优化阳光电源iSolarCloud平台的健康状态评估算法，实现更精准的过温保护和功率降额控制，从而提升产品在极端环境下的可靠性，并为下一代高功率密度逆变器及储能变流器（PCS）的设计提供关键的热管理技术支撑。