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一种通过关断延迟时间灵敏度放大实现SiC MOSFET结温实时监测的新方法
A Novel Method for Real-Time Junction Temperature Monitoring of SiC Mosfet Through Sensitivity Amplification of Turn-Off Delay Time
| 作者 | Xiaohui Lu · Laili Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 结温 TSEP 关断延迟时间 灵敏度放大 热管理 健康监测 |
语言:
中文摘要
结温是SiC功率器件热管理与健康监测的关键参数。本文提出一种基于温度敏感电参数（TSEP）的方法，通过放大关断延迟时间的灵敏度，实现了SiC MOSFET结温的实时监测。该方法克服了传统TSEP在宽温度范围内线性度不足的问题，为提升功率模块的可靠性提供了有效手段。
English Abstract
Junction temperature is a critical silicon carbide (SiC) semiconductor parameter for thermal management and health condition monitoring. To monitor the junction temperature, the temperature-sensitive electrical parameter (TSEP) method is gaining increasing attention. Among the TSEPs of the SiC mosfet, the turn-off delay time has good linearity over a wide temperature range. However, the temperatur...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的SiC应用至关重要。随着公司在组串式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模导入SiC MOSFET以提升功率密度和效率，精准的结温监测是实现器件寿命预测与主动热管理的核心。该方法可集成于iSolarCloud智能运维平台，通过实时监控核心功率模块的结温状态，提前预警潜在故障，从而显著提升产品的可靠性与运维效率。建议研发团队在下一代高功率密度PCS及逆变器驱动电路中进行验证与部署。