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面向直流固态功率控制器
DC-SSPC）应用的改进型加速功率循环测试下SiC MOSFET退化特征的实时提取
| 作者 | Bin Yu · Li Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年5月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET DC-SSPC 老化监测 TSEP 功率循环测试 可靠性 实时提取 |
语言:
中文摘要
SiC MOSFET是直流固态功率控制器（DC-SSPC）的核心组件。通过实时在线监测SiC MOSFET的退化状态，可显著提升DC-SSPC的可靠性。目前，利用热敏电参数（TSEPs）间接监测退化存在测量误差，本文提出了一种改进的加速功率循环测试方法，旨在实现SiC MOSFET退化特征的实时提取，为电力电子系统的健康管理提供技术支撑。
English Abstract
The SiC mosfet is a key component of the dc solid-state power controller (DC-SSPC). The reliability of DC-SSPCs can be improved by real-time online monitoring of the degradation of SiC mosfets. At present, the degradation of SiC mosfets can be indirectly monitored using thermosensitive electrical parameters (TSEPs); however, their degradation can cause nonnegligible measurement errors. Another lim...
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SunView 深度解读
该研究聚焦于SiC MOSFET的在线退化监测与可靠性评估，对阳光电源的功率器件应用具有重要参考价值。在阳光电源的组串式逆变器、PowerTitan储能变流器及电动汽车充电桩产品中，SiC器件已成为提升效率与功率密度的关键。通过引入该文提出的改进型功率循环测试与退化特征提取技术，可优化iSolarCloud平台的智能运维功能，实现对核心功率模块的预测性维护，提前识别失效风险，从而提升系统在极端工况下的长期运行可靠性。建议研发团队关注该TSEP测量优化方案，以降低实际应用中的监测误差。