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一种基于关断栅极电量的IGBT结温监测方法
A Converter-Level Junction Temperature Monitoring Method for IGBT Based on the Turn-OFF Gate Electric Quantities
| 作者 | Kexin Yang · Bi Liu · Haoyang Tan · Pengcheng Xu · Jian Chen · Tao Tang · Wensheng Song |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年10月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | IGBT 可靠性分析 功率模块 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 结温 TSEP 门极电参数 可靠性 电力电子 监测方法 |
语言:
中文摘要
结温是评估IGBT可靠性的关键指标。本文提出了一种基于栅极电量作为热敏电参数（TSEP）的非侵入式结温监测方法，旨在实现简单且高灵敏度的温度监测，为电力电子变换器的可靠性评估提供技术支撑。
English Abstract
The junction temperature is a significant indicator for evaluating the reliability of insulated gate bipolar transistors (IGBTs). In this article, in order to realize noninvasive and simple temperature monitoring, the gate electric quantities are adopted as the thermo-sensitive electrical parameter (TSEP), and the proposed method can realize high sensitivity for monitoring junction temperature of ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线（光伏逆变器、储能PCS、风电变流器）具有极高的应用价值。IGBT作为上述产品的核心功率器件，其结温监测直接关系到设备在极端工况下的寿命预测与故障预警。通过采用栅极电量作为TSEP，无需额外传感器即可实现非侵入式监测，能够显著提升iSolarCloud智能运维平台对功率模块健康状态的评估精度，降低运维成本，并为PowerTitan等储能系统在复杂电网环境下的长期可靠运行提供技术保障。