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基于最大恢复电流di/dt的高功率P-i-N二极管芯片温度在线提取与预测方法
Online High-Power P-i-N Diode Chip Temperature Extraction and Prediction Method With Maximum Recovery Current di/dt
| 作者 | Haoze Luo · Wuhua Li · Xiangning He |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2015年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 可靠性分析 热仿真 故障诊断 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | P-i-N 二极管 芯片温度 TSEP 大功率变换器 可靠性 反向恢复电流 di/dt |
语言:
中文摘要
本文针对高功率转换器中P-i-N二极管结温监测难题，分析了现有热敏电参数（TSEP）方法的局限性。提出了一种利用最大反向恢复电流变化率（di/dt）作为TSEP的新方法，实现了半桥拓扑下二极管芯片温度的在线提取与预测，为提升高功率电力电子设备的可靠性提供了有效手段。
English Abstract
P-i-N diode chip temperature is a significant indicator when evaluating the reliability of high-power converters. The feasibility of state-of-the-art thermosensitive electrical parameter (TSEP) extraction strategies for a high-power module is investigated and the limitations of using forward voltage drop for high-power P-i-N diode TSEP are explored. In the widely employed half-bridge topology, by ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器）具有极高价值。高功率模块的结温监测是提升系统可靠性和功率密度的关键。通过引入di/dt作为TSEP，可在不增加额外传感器的情况下，实现对IGBT模块中二极管的实时健康状态监控，有助于优化iSolarCloud平台的运维策略，实现从“被动维修”向“预测性维护”的转型。建议研发团队在下一代高功率密度PCS产品中评估该方法的工程可行性，以提升产品在极端工况下的可靠性。