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功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

基于组合TSEP建模的SiC MOSFET负载无关结温估计

Load-Independent Junction Temperature Estimation via Combined TSEPs Modeling for SiC MOSFETs

Meng Luo · Kun Tan · Xi Tang · Cungang Hu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

结温精确估计对SiC MOSFET的可靠性与安全运行至关重要。本文提出了一种基于温度敏感电参数(TSEPs)的负载无关结温估计方法,利用组合TSEP建模技术,实现了非侵入式、快速响应的在线热监测,有效提升了功率器件在复杂工况下的可靠性评估精度。

解读: 该技术对阳光电源的核心业务至关重要。随着公司在光伏逆变器(如组串式SG系列)和储能系统(如PowerTitan系列)中大规模应用SiC器件以提升功率密度和效率,结温的精确监测直接决定了系统的可靠性与寿命。该负载无关的TSEP估计方法可集成至iSolarCloud平台或逆变器控制固件中,实现对功率模块...

拓扑与电路 SiC器件 功率模块 储能变流器PCS ★ 5.0

多相并联桥臂功率损耗的最小化与平衡

Minimizing and Balancing Power Losses in Multiphase Paralleled Bridge Legs

Ziheng Xiao · Fei Deng · Zhigang Yao · Yi Tang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年9月

为实现高电流能力,多颗碳化硅(SiC)MOSFET常被并联使用,但易导致开关电流不平衡及损耗增加。本文研究了在开关节点处配置小电感的多相并联桥臂的损耗最小化与平衡方法,并以16kW四相双向Buck-Boost变换器为例进行了验证。

解读: 该技术对阳光电源的PowerTitan及ST系列储能PCS产品具有极高的应用价值。随着储能系统向高功率密度和高效率演进,SiC器件的并联应用已成为主流。通过优化多相并联桥臂的电流平衡与损耗控制,可显著提升PCS在部分负载下的转换效率,降低温升,从而提升产品可靠性。建议研发团队在下一代大功率储能变流器...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 故障诊断 ★ 5.0

SiC MOSFET导通电压测量电路中的集成短路保护方法

Integrated Short-Circuit Protection Method in On-State Voltage Measurement Circuit for SiC MOSFETs

Jiahong Liu · Xing Wei · Bo Yao · Yichi Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月

本文提出了一种SiC MOSFET状态监测与短路保护的集成方案。通过改进导通电压测量电路,将状态监测与短路保护功能整合在单一电路中,有效提升了系统的紧凑性,并实现了对SiC器件的高效保护与健康管理。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线至关重要。随着公司组串式逆变器及PowerTitan储能系统向高功率密度、高效率方向演进,SiC MOSFET的应用日益广泛。该集成保护方案能显著提升功率模块的可靠性,缩短短路故障响应时间,降低驱动电路复杂度。建议在下一代高压储能PCS及组串式逆变器研发中引入该集成监测技...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

用于改善并联大功率SiC MOSFET模块电流共享性能的有源栅极驱动器

Active Gate Driver for Improving Current Sharing Performance of Paralleled High-Power SiC MOSFET Modules

Yang Wen · Yuan Yang · Yong Gao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月

SiC MOSFET凭借高开关速度和低损耗优势,广泛应用于高功率密度电力电子系统。由于单模块电流容量有限,多模块并联是实现高功率输出的关键,但电流不均流问题是主要挑战。本文提出一种有源栅极驱动技术,旨在优化并联模块间的电流共享性能,提升系统整体可靠性与效率。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。在PowerTitan系列液冷储能系统及大功率组串式光伏逆变器中,为了达到兆瓦级功率输出,SiC模块并联技术已成为主流。电流不均流会导致局部过热,降低功率器件寿命。通过引入有源栅极驱动(Active Gate Driver),可以动态调节开关过程,有效...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

基于结电容的SiC MOSFET栅氧化层退化温度无关监测方法

Temperature-Independent Gate-Oxide Degradation Monitoring of SiC MOSFETs Based on Junction Capacitances

Masoud Farhadi · Fei Yang · Shi Pu · Bhanu Teja Vankayalapati 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月

栅氧化层退化是SiC MOSFET的主要可靠性挑战。现有监测方法多受温度影响,难以消除误差。本文提出了一种基于结电容的监测方法,实现了对栅氧化层退化的温度无关监测,有助于预防功率变换器的突发故障。

解读: SiC MOSFET作为阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能变流器及高频充电桩的核心功率器件,其可靠性直接决定了产品的全生命周期运维成本。该研究提出的温度无关监测技术,能够有效解决复杂工况下器件老化评估不准的痛点。建议将此技术集成至iSolarCloud智能运维平台,通过实时监测关键结电容...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

一种基于开通漏源电流过冲的SiC MOSFET高灵敏度在线结温监测方法

A High-Sensitivity Online Junction Temperature Monitoring Method for SiC mosfets Based on the Turn-on Drain–Source Current Overshoot

Qinghao Zhang · Geye Lu · Pinjia Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年12月

结温监测是SiC器件高可靠运行的基础,因为热应力是导致器件老化的主要因素。传统的温度敏感电参数方法在SiC MOSFET应用中灵敏度较低。本文提出了一种基于开通漏源电流过冲的高灵敏度在线结温监测方法,有效提升了监测性能。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan储能系统中大规模应用SiC MOSFET,器件的可靠性与热管理成为提升产品竞争力的关键。该方法通过监测开通电流过冲实现高灵敏度结温感知,无需额外传感器,极具工程应用价值。建议研发团队将其集成至iSolarCloud智能运维平台或逆变器控制算法中,实现对...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种用于串联SiC MOSFET主动驱动的混合电流和电压源驱动器

A Hybrid Current- and Voltage-Source Driver for Active Driving of Series-Connected SiC MOSFETs

Tobias Nieckula Ubostad · Daniel A. Philipps · Dimosthenis Peftitsis · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年3月

碳化硅(SiC)MOSFET的串联是提升开关管阻断电压的有效途径,但面临瞬态和稳态电压不平衡的挑战。特别是在高开关频率下,高dv/dt要求使得电压均衡控制更为困难。本文提出了一种混合电流和电压源驱动方案,旨在解决串联SiC MOSFET的电压不平衡问题,提升高压电力电子系统的可靠性与效率。

解读: 该技术对阳光电源的高压光伏逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要应用价值。随着光伏系统向1500V甚至更高电压等级演进,SiC器件的应用日益广泛。通过该混合驱动技术,可有效解决多管串联时的电压应力不均问题,从而在不牺牲开关频率的前提下提升系统功率密度和效率。建议研发团队关注该驱动...

拓扑与电路 DC-DC变换器 LLC谐振 双向DC-DC ★ 4.0

一种基于双变压器的超宽输出电压范围LLC谐振变换器

A Dual-Transformer-Based LLC Resonant Converter With Ultrawide Output Voltage Range

Hengpeng Zhang · Jianglin Nie · Xinyu Sun · Yuhao Deng 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

本文提出了一种基于双变压器的新型LLC谐振变换器,通过五只MOSFET和四只二极管的组合实现了四种工作模式,在压缩开关频率范围的同时,实现了7.5倍的超宽输出电压调节能力,并确保了所有MOSFET的零电压开关(ZVS)。

解读: 该拓扑结构在超宽输出电压范围下的高效率表现,对阳光电源的电动汽车充电桩及储能PCS产品线具有重要参考价值。随着电动汽车电池电压平台向800V及以上演进,充电桩模块需具备更宽的输出电压调节能力以兼容不同车型。该方案通过双变压器设计优化了频率范围,有助于提升充电模块的功率密度和转换效率。建议研发团队评估...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

面向SiC MOSFET的具有定位功能的高精度宽温区变换器级导通电压测量技术

High Accuracy and Wide Temperature Range Converter-level On-State Voltage Measurement With Localization Function for SiC MOSFETs

Qunfang Wu · Shilin Shen · Han Zhang · Qin Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月

状态监测技术通过实时监测器件退化过程实现预测性维护,从而提升系统可靠性。导通电压是目前SiC MOSFET最实用的健康监测指标,但其在线提取技术仍面临挑战。本文提出了一种具有定位功能的变换器级导通电压测量方案,解决了宽温度范围下的高精度测量难题。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着SiC MOSFET在组串式光伏逆变器(如SG系列)及大功率储能变流器(如PowerTitan系列)中的广泛应用,器件的可靠性监测成为提升产品全生命周期价值的关键。该研究提出的在线导通电压测量与定位功能,可直接集成于iSolarCloud智能运维平...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

考虑温度相关特性的SiC MOSFET开关串扰建模与分析

Modeling and Analysis for Switching Crosstalk of SiC MOSFETs Considering Temperature- Dependent Characteristics

Hao Yue · Wensheng Song · Jian Chen · Tao Tang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年8月

相比硅器件,碳化硅(SiC) MOSFET具有更快的开关速度和更低的损耗,是高压高频变换器的理想选择。然而,其极高的电压变化率(dv/dt)和反向恢复电流会导致严重的串扰问题,特别是在高温工况下。本文针对SiC MOSFET的开关串扰进行了建模与分析。

解读: SiC器件是阳光电源提升光伏逆变器和储能变流器(PCS)功率密度与效率的核心技术。随着PowerTitan等储能系统及组串式逆变器向更高电压等级和开关频率演进,SiC MOSFET的串扰问题直接影响系统的电磁兼容性(EMC)与可靠性。本文提出的温度相关串扰模型,对优化阳光电源功率模块的驱动电路设计、...

功率器件技术 SiC器件 ★ 4.0

基于无源开通延迟时间积分器的中压SiC MOSFET在线高精度结温测量

High-Accuracy Online Junction Temperature Measurement of Medium-Voltage SiC MOSFETs Based on Passive Turn-On Delay Time Integrator

作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

本信函介绍了一种基于无源导通延迟时间($t_{d,on}$)积分器的新型非侵入式高精度中压碳化硅(SiC)金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管(MOSFET)在线结温($T_j$)测量方法。与以往研究不同,所提出的基于无源$t_{d,on}$积分器的方法无需使用大栅极电阻即可实现高精度的在线$T_j$测量。此外,该方法倾向于跟踪多芯片功率模块中所有芯片的最高$T_j$。最后,在自主研发的 3.3 kV 半桥 SiC MOSFET 模块上进行的实验验证了所提方法的有效性。实验结果表明,所提方法...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于被动开通延迟时间积分器的中压SiC MOSFET结温在线测量技术具有重要的应用价值。在我们的光伏逆变器和储能变流器产品中,功率器件的热管理一直是影响系统可靠性和寿命的关键因素,特别是随着3.3kV及以上中压SiC器件在1500V光伏系统和中压储能系统中的广泛应用。 ...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种用于开尔文源极连接并联SiC MOSFET动态均流的电流平衡驱动器

A Current-Balancing Gate Driver for Dynamic Current Sharing of Paralleled SiC MOSFETs With Kelvin-Source Connection

Che-Wei Chang · Matthias Spieler · Ayman M. EL-Refaie · Renato Amorim Torres 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月

并联碳化硅(SiC)MOSFET是提升电流处理能力的经济方案,开尔文源极配置有助于优化开关性能。然而,并联器件间的动态电流不平衡会导致损耗分配不均及结温差异,进而影响系统可靠性。本文提出一种新型电流平衡驱动技术,旨在解决并联SiC器件的动态均流问题。

解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司组串式逆变器(如SG系列)和储能系统(如PowerTitan系列)向高功率密度和高效率演进,SiC MOSFET的并联应用已成为主流。动态均流技术能有效降低并联器件的应力差异,显著提升功率模块的长期可靠性,并有助于进一步优化散热设计。建议研发团队关注该...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

10kV SiC MOSFET和二极管软开关损耗的精确瞬态量热测量

Accurate Transient Calorimetric Measurement of Soft-Switching Losses of 10-kV SiC mosfets and Diodes

Daniel Rothmund · Dominik Bortis · Johann Walter Kolar · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年6月

本文针对现代高压SiC MOSFET的软开关损耗(SSL)表征难题,提出了一种精确的瞬态量热测量方法。该方法为中压固态变压器等采用软开关技术以提升转换效率的变换器系统建模提供了可靠依据,解决了传统开关损耗测量在宽禁带器件应用中的局限性。

解读: 随着阳光电源在中压光伏接入及大型储能系统(如PowerTitan系列)中对高压功率器件需求的增加,SiC技术的应用已成为提升系统功率密度和效率的关键。本文提出的高压SiC器件软开关损耗精确测量方法,对于优化公司中压变换器拓扑设计、提升系统热管理水平具有重要参考价值。建议研发团队将其应用于高压功率模块...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 故障诊断 ★ 5.0

基于数据驱动的SiC MOSFET故障预测方法

Data-Driven Approach for Fault Prognosis of SiC MOSFETs

Weiqiang Chen · Lingyi Zhang · Krishna Pattipati · Ali M. Bazzi 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年4月

本文提出了一种用于碳化硅(SiC)MOSFET故障预测的无监督学习方法。该方法通过监测器件在退化过程中的电压、电流、温度及其他特征参数的变化趋势来实现。文章回顾了半导体失效模式及现有故障预测技术,并首次针对SiC器件的退化特性提出了该数据驱动方案。

解读: SiC MOSFET是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩的核心功率器件。随着高功率密度设计需求增加,SiC器件的可靠性成为系统长寿命运行的关键。该研究提出的无监督学习故障预测方法,可集成至iSolarCloud智能运维平台中,通过实时采集电压、电流及温度数据,实现对功...

可靠性与测试 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

功率循环测试中SiC MOSFET阈值电压漂移的测量方法

A Method for the Measurement of the Threshold-Voltage Shift of SiC MOSFETs During Power Cycling Tests

Carsten Kempiak · Andreas Lindemann · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年6月

本文探讨了宽禁带器件(如SiC MOSFET)在功率循环测试中的特殊性。测试中载流子俘获等器件内部变化会干扰封装老化评估,导致阈值电压漂移。文章提出了一种测量方法,旨在准确区分器件级退化与封装级失效,以优化功率循环测试的有效性。

解读: 随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率,器件的长期可靠性至关重要。传统的功率循环测试往往混淆了器件内部载流子俘获效应与封装老化,导致误判。该研究提出的测量方法能帮助研发团队更精准地评估SiC器件在极端工况下的...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

一种基于电热交互与线性模式电流响应的高灵敏度功率MOSFET在线结温提取方法

A High-Sensitive Online Tj Extracting Method Based on Electrothermal Interaction and Linear-Mode Current Response for Power MOSFET Devices

Fengtao Yang · Laili Wang · Xiaoliang She · Zizhen Cheng 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年7月

准确的在线结温(Tj)提取对功率MOSFET的可靠性与健康管理至关重要。然而,碳化硅(SiC)功率MOSFET的温度敏感电参数灵敏度较低,限制了提取精度并提高了测量电路的带宽要求。本文提出了一种基于电热交互与线性模式电流响应的高灵敏度在线结温提取方法,有效解决了上述挑战。

解读: 该技术对阳光电源的SiC功率模块应用至关重要。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC器件,结温的精确监测直接决定了功率模块的寿命预测与过温保护策略。该方法通过线性模式电流响应提升灵敏度,有助于优化逆变器及PCS的散热设计与热管理算法,从而提升...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 储能变流器PCS ★ 5.0

用于串联中压SiC MOSFET的带短路保护的高级双通道栅极驱动器

Advanced Dual-Channel Gate Driver With Short-Circuit Protection for Series-Connected Medium-Voltage SiC MOSFETs

Rui Wang · Drazen Dujic · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月

本文针对中压应用场景,提出了一种专为串联SiC MOSFET设计的双通道栅极驱动器(D-GD)。该驱动器具备高效的短路保护功能,旨在解决SiC器件在高压环境下开关性能与可靠性的平衡问题,提升功率模块的整体运行稳定性。

解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着光伏逆变器和储能系统(如PowerTitan系列)向更高电压等级(1500V及以上)演进,SiC器件的串联应用成为提升功率密度和效率的关键。该驱动器设计的短路保护机制能显著增强大功率模块的可靠性,降低故障率。建议研发团队关注该驱动方案在组串式逆变器及大功率...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

用于并联SiC MOSFET电流均衡的辅助支路有源门极驱动器

Active Gate Driver With Auxiliary Branch for Current Sharing of Paralleled SiC MOSFETs

Cen Chen · Ziqi Tao · Sibao Ding · Lianyu Su 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月

在高功率应用中,SiC MOSFET并联技术常用于提升电流容量。然而,开关过程中的动态电流不平衡会导致功率和热分布不均,影响系统稳定性。本文提出了一种带辅助支路的主动门极驱动电路(AGD),旨在解决并联SiC MOSFET的电流不平衡问题,提升系统整体可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有极高价值。随着大功率逆变器和PCS模块向更高功率密度演进,SiC器件的并联应用已成为主流。该主动门极驱动方案能有效解决并联器件间的动态电流不平衡,降低开关损耗并提升热管理水平,从而显著提高高功率密度产品的可靠性与寿...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

采用SiC MOSFET和SiC肖特基二极管的分裂输出变换器性能评估

Performance Evaluation of Split Output Converters With SiC MOSFETs and SiC Schottky Diodes

Qingzeng Yan · Xibo Yuan · Yiwen Geng · Apollo Charalambous 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年1月

本文探讨了碳化硅(SiC)MOSFET和肖特基二极管在功率变换器中的应用。虽然SiC器件能显著提升功率密度和系统效率,但其超快开关特性引发了桥臂直通(串扰)、高开通损耗及电磁干扰(EMI)等挑战。文章针对分裂输出变换器进行了深入的性能评估与分析。

解读: 该研究对阳光电源的核心产品线具有重要指导意义。随着组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能PCS向更高功率密度和效率演进,SiC器件的应用已成为主流。针对文中提到的串扰和EMI问题,建议在研发中优化驱动电路设计及PCB布局,以充分发挥SiC的性能优势。该技术可直接应用于新一代高频化、小型化逆变...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

固态断路器应用中SiC功率模块并联芯片的不稳定性问题

Instability Issue of Paralleled Dies in an SiC Power Module in Solid-State Circuit Breaker Applications

Zhou Dong · Ren Ren · Wen Zhang · Fei Fred Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月

功率模块中并联芯片在高电流开关瞬态下可能出现不稳定性,这源于并联MOSFET间的差模振荡。传统的稳定性分析通常局限于单一工作点,忽略了开关轨迹和非线性器件参数对稳定性的影响。

解读: 该研究直接关联阳光电源在光伏逆变器及储能系统(如PowerTitan、ST系列PCS)中对SiC功率模块的应用。随着高功率密度需求增加,多芯片并联成为主流,但由此引发的振荡问题直接影响系统可靠性。建议研发团队在设计组串式逆变器及储能变流器时,引入该文提出的动态稳定性分析方法,优化驱动电路布局与寄生参...

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