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功率循环测试中SiC MOSFET阈值电压漂移的测量方法
A Method for the Measurement of the Threshold-Voltage Shift of SiC MOSFETs During Power Cycling Tests
| 作者 | Carsten Kempiak · Andreas Lindemann |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年6月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 功率循环 阈值电压漂移 载流子俘获 可靠性 宽禁带器件 封装退化 |
语言:
中文摘要
本文探讨了宽禁带器件（如SiC MOSFET）在功率循环测试中的特殊性。测试中载流子俘获等器件内部变化会干扰封装老化评估，导致阈值电压漂移。文章提出了一种测量方法，旨在准确区分器件级退化与封装级失效，以优化功率循环测试的有效性。
English Abstract
The application of established test routines like power cycling to wide bandgap devices may be not as straightforward as it seems: When power cycling silicon carbide MOSFETs, the original purpose of triggering package related degradations under application-like and accelerated conditions might be influenced by device related changes during the test, such as carrier trapping, which may lead to a sh...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，器件的长期可靠性至关重要。传统的功率循环测试往往混淆了器件内部载流子俘获效应与封装老化，导致误判。该研究提出的测量方法能帮助研发团队更精准地评估SiC器件在极端工况下的寿命，对于优化逆变器及PCS产品的热管理设计、提升产品全生命周期可靠性具有极高的工程参考价值。