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SiC功率MOSFET主动功率循环测试台——原理、设计与实现
Active Power Cycling Test Bench for SiC Power MOSFETs—Principles, Design, and Implementation
| 作者 | Sebastian Baba · Andrzej Gieraltowski · Marek Jasinski · Frede Blaabjerg · Amir Sajjad Bahman · Marcin Zelechowski |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年3月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 主动功率循环 SiC功率MOSFET 可靠性 寿命评估 失效模式 测试平台设计 |
语言:
中文摘要
为实现卓越的可靠性，设计阶段需引入可靠性设计方法。本文针对现有基于手册的可靠性模型精度不足的问题，提出了一种针对SiC功率MOSFET的主动功率循环测试台设计方案，旨在通过实验手段更准确地评估关键组件的寿命及失效模式。
English Abstract
One way to achieve the best in class reliability is the implementation of a design for reliability methodology into the design process in order to estimate the lifetime of each individual critical component, based on proper reliability models for failure modes. The main drawback of the above-mentioned approach is that it relies on handbook-based reliability models, which usually are only accurate ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线至关重要。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC功率器件以提升功率密度和效率，器件的长期可靠性成为质量保证的关键。本文提出的主动功率循环测试方法，能够帮助研发团队建立更精准的SiC器件寿命模型，优化散热设计与驱动策略。建议将其应用于iSolarCloud智能运维平台的故障预测模型中，通过积累的测试数据提升对逆变器及PCS核心功率模块的寿命预测精度，从而降低运维成本，提升产品在极端工况下的可靠性。