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开关损耗大小对SiC MOSFET开关模式功率循环测试寿命的影响
Influence of Switching Loss Magnitude on Lifetime During a Switch-Mode Power Cycling Test of SiC MOSFETs
| 作者 | James Abuogo · Jörg Franke · Josef Lutz · Thomas Basler |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年8月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 功率循环测试 开关损耗 可靠性 寿命估计 宽禁带器件 |
语言:
中文摘要
为使功率循环测试更贴近实际应用，本文研究了开关损耗对离散型SiC MOSFET功率循环寿命的影响。通过在不同开关损耗量级下进行四种开关模式功率循环测试，分析了开关损耗对器件失效机理及寿命的影响，为宽禁带器件的可靠性评估提供了重要参考。
English Abstract
In a bid to adapt power cycling tests as closely as possible to the actual application conditions, tests with both conduction and switching losses are becoming more common. In this article, the influence of switching losses on power cycling lifetime is studied for discrete SiC mosfets. Four switch-mode power cycling tests with different switching loss magnitudes are performed in both clamped and u...
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SunView 深度解读
随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统向高功率密度和高效率演进，SiC MOSFET已成为核心功率器件。本文提出的开关模式功率循环测试方法，比传统测试更真实地模拟了逆变器在实际工况下的热应力，对优化阳光电源产品的功率模块设计、提升系统在复杂电网环境下的长期可靠性具有重要指导意义。建议研发团队将该测试方法引入SiC器件的选型验证与寿命评估流程，以降低高频开关应用下的失效风险。