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基于栅极电荷时间的平面型SiC MOSFET栅氧化层退化在线监测
Online Gate-Oxide Degradation Monitoring of Planar SiC MOSFETs Based on Gate Charge Time
| 作者 | Minghang Xie · Pengju Sun · Kaihong Wang · Quanming Luo · Xiong Du |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年6月 |
| 技术分类 | 可靠性与测试 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 栅极氧化层退化 可靠性监测 栅极电荷时间 电力电子 老化敏感参数 |
语言:
中文摘要
栅氧化层退化是SiC MOSFET面临的关键可靠性问题之一。本文提出了一种通过提取特定栅极电压范围内的栅极电荷时间，对平面型SiC MOSFET进行在线栅氧化层退化监测的方法，为功率器件的健康状态评估提供了有效手段。
English Abstract
Gate-oxide degradation has been one of the critical reliability concerns of silicon carbide (SiC) metal–oxide–semiconductor-field-effect transistors (mosfets), which could be monitored through aging-sensitive parameters. In this article, an online gate-oxide degradation monitoring method for planar SiC mosfets is proposed by extracting gate charge time at a specific range of gate voltage. It is ba...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在光伏逆变器（如组串式、集中式）及储能系统（如PowerTitan、PowerStack）中大规模应用SiC功率器件以提升功率密度和效率，器件的长期可靠性成为核心竞争力。该研究提出的在线监测方法无需额外复杂硬件，可直接集成于iSolarCloud智能运维平台或逆变器控制板中，实现对SiC MOSFET栅极健康状态的实时预警。建议研发团队将其转化为固件算法，部署在高端组串式逆变器及储能PCS中，以实现从‘事后维修’向‘预测性维护’的转型，显著降低运维成本并提升系统全生命周期可靠性。