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用于并联SiC MOSFET电流均衡的辅助支路有源门极驱动器
Active Gate Driver With Auxiliary Branch for Current Sharing of Paralleled SiC MOSFETs
| 作者 | Cen Chen · Ziqi Tao · Sibao Ding · Lianyu Su · Zhihao Li · Guofu Zhai |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 有源门极驱动器 并联 SiC MOSFET 电流均流 开关过程 电力电子 动态电流不平衡 |
语言:
中文摘要
在高功率应用中，SiC MOSFET并联技术常用于提升电流容量。然而，开关过程中的动态电流不平衡会导致功率和热分布不均，影响系统稳定性。本文提出了一种带辅助支路的主动门极驱动电路（AGD），旨在解决并联SiC MOSFET的电流不平衡问题，提升系统整体可靠性。
English Abstract
In high-power applications, paralleling silicon carbide mosfets is commonly adopted to overcome the current limitation of a single device and achieve higher current capability. However, imbalanced dynamic currents during the switching process can lead to uneven power and thermal distribution, negatively affecting the overall stability of the system. This article presents an active gate driver (AGD...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有极高价值。随着大功率逆变器和PCS模块向更高功率密度演进，SiC器件的并联应用已成为主流。该主动门极驱动方案能有效解决并联器件间的动态电流不平衡，降低开关损耗并提升热管理水平，从而显著提高高功率密度产品的可靠性与寿命。建议研发团队在下一代大功率SiC模块驱动电路设计中引入该辅助支路控制策略，以优化系统效率并降低器件应力。