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一种用于开尔文源极连接并联SiC MOSFET动态均流的电流平衡驱动器
A Current-Balancing Gate Driver for Dynamic Current Sharing of Paralleled SiC MOSFETs With Kelvin-Source Connection
| 作者 | Che-Wei Chang · Matthias Spieler · Ayman M. EL-Refaie · Renato Amorim Torres · Rolando Burgos · Dong Dong |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 并联 电流均衡 栅极驱动器 开尔文源极 开关性能 电力电子 |
语言:
中文摘要
并联碳化硅（SiC）MOSFET是提升电流处理能力的经济方案，开尔文源极配置有助于优化开关性能。然而，并联器件间的动态电流不平衡会导致损耗分配不均及结温差异，进而影响系统可靠性。本文提出一种新型电流平衡驱动技术，旨在解决并联SiC器件的动态均流问题。
English Abstract
Paralleling the silicon carbide (SiC) mosfets is a cost-effective solution to augment the current handling capabilities. Furthermore, the utilization of the Kelvin-source configuration has been demonstrably beneficial in improving switching performance. Nevertheless, the dynamic current imbalance among paralleled devices poses significant risks, including disproportionate losses, unequal junction ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司组串式逆变器（如SG系列）和储能系统（如PowerTitan系列）向高功率密度和高效率演进，SiC MOSFET的并联应用已成为主流。动态均流技术能有效降低并联器件的应力差异，显著提升功率模块的长期可靠性，并有助于进一步优化散热设计。建议研发团队关注该驱动电路的集成度与成本，将其应用于下一代高功率密度逆变器及PCS模块中，以提升产品在极端工况下的稳定性和寿命。