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采用并联压接式二极管的半桥单元性能提升研究
Improved Performance for Half-Bridge Cells With a Parallel Presspack Diode
Fabian Hohmann · Mark-M. Bakran · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年4月
本文研究了一种通过并联压接式二极管来提升IGBT半桥单元效率的方法。文章详细讨论了该拓扑在模块化多电平变换器（MMC）应用中的开关性能及其损耗特性。
解读: 该研究针对高压大功率应用中的开关损耗优化，对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。在兆瓦级及以上的高压变流器设计中，通过优化二极管配置提升效率，可直接降低系统散热需求并提升功率密度。建议研发团队评估压接式二极管在模块化多电平拓扑中的集成可行性，特别是在提...
一种基于寄生参数的宽带且易于集成的GaN器件开关电流测量方法
A High-Bandwidth and Easy-to-Integrate Parasitics-Based Switching Current Measurement Method for Fast GaN Devices
作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 日期未知
氮化镓（GaN）器件的高开关速度推动了电力电子变换器向兆赫兹频率发展，但也给开关电流测量带来了巨大挑战。传统测量方法存在带宽不足或改变电路布局电感的问题。本文提出了一种基于寄生参数的电流测量方法，实现了高带宽且对电路布局影响极小，有效提升了GaN器件开关性能的评估精度。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升，GaN器件的应用成为技术演进的重要方向。该测量方法能够精准捕捉GaN高速开关过程中的电流波形，有助于研发团队优化驱动电路设计，降低开关损耗与电磁干扰。建议在下一代高频化、小型化逆变器及微型逆变器研发中引入该测试技术，以提升功率模块...
超结MOSFET栅极振荡的真正起源：器件视角
True Origin of Gate Ringing in Superjunction MOSFETs: Device View
Hyemin Kang · Florin Udrea · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月
随着超结器件尺寸缩小，动态开关过程中的栅极振荡问题日益突出。由于传统三端测量法无法捕捉器件内部电荷重新分配等动态行为，该研究深入分析了超结MOSFET栅极振荡的物理起源，为优化高频开关性能提供了器件层面的理论支撑。
解读: 栅极振荡是影响阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能变流器（PCS）高频开关性能与电磁兼容性（EMC）的关键因素。该研究揭示的器件内部动态机理，有助于研发团队在功率模块选型及驱动电路设计中，更精准地抑制寄生振荡，从而提升逆变器在高频化趋势下的效率与可靠性。建议在下一代高功率密度产品设计中，结...
兆赫兹软开关运行下GaN功率开关的电热电路建模与实际评估
Electrothermal Circuit Modeling and Practical Evaluation of GaN Power Switches for Mega-Hertz Soft-Switching Operation
Mingshuo Zhu · Kerui Li · Siew-Chong Tan · Shu Yuen Ron Hui · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
本文研究了氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在兆赫兹（MHz）软开关运行下的开关性能与电热行为，重点关注转换效率、热稳定性及电磁干扰。研究指出，GaN器件的实际反向导通特性与厂商数据手册存在差异，并提出了相应的电热建模方法以优化高频应用。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能系统（如PowerStack）中对功率密度要求的不断提升，高频化是未来的核心趋势。GaN器件凭借其卓越的开关速度，是实现MHz级转换的关键。本文提出的电热建模方法，可直接应用于阳光电源研发部门对高频功率模块的热设计优化，有助于提升逆变器效率并缩小体积。建议研发...
升压变换器共模传导发射滤波电感拓扑的综合分析
Comprehensive Analysis of Filter Inductor Topology on Common-Mode Conducted Emissions for the Boost Converter
Jared C. Helton · Andrew N. Lemmon · Aaron D. Brovont · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年4月
随着半导体技术进步，电力电子变换器功率密度显著提升，但高频开关带来的共模传导发射问题日益突出。本文针对Boost变换器，深入研究了滤波电感拓扑对共模噪声的影响，为优化变换器电磁兼容性（EMC）设计提供了理论依据与建模方法。
解读: 该研究对于阳光电源的组串式光伏逆变器及储能PCS产品具有重要参考价值。随着公司产品向高功率密度和高开关频率演进，电磁干扰（EMI）控制成为设计难点。通过优化滤波电感拓扑，可有效降低共模噪声，减小EMI滤波器体积，从而进一步提升PowerTitan等储能系统及组串式逆变器的功率密度。建议研发团队在下一...
利用磁耦合辅助回路表征并最小化可重构电池系统中的换流回路电感
Characterization and Minimization of Commutation Loop Inductance in Reconfigurable Battery Systems Using Magnetically Coupled Auxiliary Loops
Christian Hanzl · David Wenninger · Christian Endisch · IEEE Transactions on Power Electronics · 预计 2026年5月
本文研究了基于半桥拓扑的可重构电池系统中的换流回路电感问题，分析了串联电池单元数量变化对电感的影响。为降低回路电感，文章提出了三种优化方法，重点探讨了引入磁耦合导体/辅助回路的技术方案，旨在提升电力电子系统的开关性能与效率。
解读: 该研究直接针对储能系统中的核心功率变换环节，对阳光电源的PowerTitan和PowerStack系列储能系统具有重要参考价值。随着储能系统向高压化、高功率密度方向发展，换流回路的寄生电感成为限制开关频率和效率的关键瓶颈。文中提出的磁耦合辅助回路优化方案，可有效降低开关过程中的电压尖峰，提升PCS模...
第三代10kV SiC MOSFET的温度相关特性、建模及开关速度限制分析
Temperature-Dependent Characterization, Modeling, and Switching Speed-Limitation Analysis of Third-Generation 10-kV SiC MOSFET
Shiqi Ji · Sheng Zheng · Fei Wang · Leon M. Tolbert · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年5月
本文研究了第三代10kV/20A SiC MOSFET在不同温度下的静态特性（饱和电流、输出特性、反并联二极管、寄生电容）及开关性能。通过构建双脉冲测试平台，分析了器件的开关速度限制，为高压功率变换器的设计与优化提供了理论依据。
解读: 10kV SiC MOSFET代表了高压功率器件的前沿技术，对阳光电源的未来业务具有重要战略意义。在集中式光伏逆变器及大型储能系统（如PowerTitan）中，采用更高电压等级的器件可显著降低系统电流，减少损耗并提升功率密度。该研究中关于温度特性和开关速度限制的分析，对于优化阳光电源高压PCS模块的...
一种用于有源前端整流器的预测混合脉宽调制技术
A Predictive Hybrid Pulse-Width-Modulation Technique for Active-Front-End Rectifiers
Martin Gendrin · Jean-Yves Gauthier · Xuefang Lin-Shi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年7月
有源前端（AFE）整流器作为并网设备应用日益广泛，其效率与性能对降低电网损耗至关重要。本文提出了一种预测混合脉宽调制（PH-PWM）技术，该技术可适配于任何空间矢量PWM（SVPWM）控制器。与基于扇区划分的传统混合PWM不同，该方法通过预测控制策略优化了整流器的开关性能。
解读: 该技术对阳光电源的并网逆变器及储能变流器（PCS）产品线具有重要参考价值。PH-PWM技术通过优化开关策略，能够直接提升PowerTitan等储能系统及组串式逆变器在并网运行时的效率，降低开关损耗，从而提升整机功率密度。建议研发团队评估该算法在DSP/FPGA平台上的计算开销，并考虑将其集成至iSo...
一种用于提升大功率SiC MOSFET模块开关性能的新型有源驱动电路
A Novel Active Gate Driver for Improving Switching Performance of High-Power SiC MOSFET Modules
Yuan Yang · Yang Wen · Yong Gao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年8月
碳化硅（SiC）MOSFET凭借高开关速度和低损耗优势，成为提升电力电子设备功率密度与效率的关键方案。然而，高开关速度易引发电压振荡、过冲、电磁干扰（EMI）及额外损耗。本文提出了一种新型有源栅极驱动器（AGD），旨在优化大功率SiC模块的开关特性。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司PowerTitan等大功率储能系统及组串式逆变器向更高功率密度演进，SiC器件的应用已成主流。该有源驱动技术能有效抑制SiC高速开关带来的EMI和电压尖峰，直接提升逆变器及PCS的可靠性与效率。建议研发团队关注该驱动方案在模块化大功率变换器中的集成潜...
高压大容量应用中IGBT驱动技术综述
Overview of IGBT Driving Technology for High Voltage and High Capacity Applications
Xianjin Huang · Pengze Zhu · Jiaqi Pan · Yang Cai 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月
本文综述了高压大容量应用（如海上风电、直流输电等）中IGBT驱动电路的研究现状。驱动电路作为功率转换设备的核心，对提升开关性能、系统可靠性及效率至关重要。文章对比了不同驱动拓扑的优缺点，并探讨了未来在高压环境下驱动技术的发展趋势。
解读: IGBT驱动技术是阳光电源核心产品（如集中式/组串式光伏逆变器、PowerTitan储能变流器及风电变流器）性能优化的基石。随着公司产品向更高电压等级（如1500V/2000V系统）和更大功率密度演进，驱动电路的抗干扰能力、开关损耗控制及短路保护机制直接决定了产品的可靠性与效率。建议研发团队关注文中...
一种用于碳化硅功率模块的新型连续可变栅极电压控制概念
A Novel Continuously Variable Gate Voltage Control Concept for Silicon Carbide Power Modules
Ahmad Al-Hmoud · Yushi Yang · Yue Zhao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月
本文提出了一种新型栅极驱动概念，利用高达60 MHz的高频调制信号实现栅极电压的连续调节。该连续可变栅极驱动器（CVGD）能够灵活调整驱动曲线，从而优化碳化硅（SiC）功率模块的开关性能，在提升效率与降低电磁干扰之间实现更优平衡。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有深远影响。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC器件，驱动电路的优化直接决定了整机的功率密度与效率。CVGD技术通过动态调节栅极电压，能有效抑制SiC器件在高频开关下的电压尖峰和振荡，显著提升系统可靠性并降低E...
基于BJT或MOSFET开关的自供电同步开关采集电路对比案例研究
Comparative Case Study on the Self-Powered Synchronous Switching Harvesting Circuits With BJT or MOSFET Switches
Weiqun Liu · Adrien Badel · Fabien Formosa · Caiyou Zhao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年11月
本文针对压电振动能量采集中的自供电同步开关电路，对比研究了双极结型晶体管（BJT）与金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在开关性能上的差异，旨在为高效能量采集电路的设计提供明确的选型依据。
解读: 该研究聚焦于微小功率下的能量采集电路拓扑与开关器件选型，虽然与阳光电源目前主营的大功率光伏逆变器、储能PCS及风电变流器在功率等级上差异巨大，但其关于自供电技术及开关损耗的对比分析，对公司研发部门在辅助电源系统（Auxiliary Power Supply）的低功耗设计、以及提升iSolarClou...
一种用于开尔文源极连接并联SiC MOSFET动态均流的电流平衡驱动器
A Current-Balancing Gate Driver for Dynamic Current Sharing of Paralleled SiC MOSFETs With Kelvin-Source Connection
Che-Wei Chang · Matthias Spieler · Ayman M. EL-Refaie · Renato Amorim Torres 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年1月
并联碳化硅（SiC）MOSFET是提升电流处理能力的经济方案，开尔文源极配置有助于优化开关性能。然而，并联器件间的动态电流不平衡会导致损耗分配不均及结温差异，进而影响系统可靠性。本文提出一种新型电流平衡驱动技术，旨在解决并联SiC器件的动态均流问题。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着公司组串式逆变器（如SG系列）和储能系统（如PowerTitan系列）向高功率密度和高效率演进，SiC MOSFET的并联应用已成为主流。动态均流技术能有效降低并联器件的应力差异，显著提升功率模块的长期可靠性，并有助于进一步优化散热设计。建议研发团队关注该...
多芯片功率模块中辅助源极连接的影响
Effects of Auxiliary-Source Connections in Multichip Power Module
Helong Li · Stig Munk-Nielsen · Xiongfei Wang · Szymon Beczkowski 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年10月
本文研究了多芯片功率模块中辅助源极连接（Kelvin连接）的工作机制。研究揭示，辅助源极连接并不能完全解耦功率回路与门极驱动回路。文章分析了其对开关性能及电流分配的影响，为优化功率模块设计提供了理论依据。
解读: 该研究直接关联阳光电源的核心产品线，如组串式/集中式光伏逆变器及PowerTitan储能系统中的功率模块设计。在高性能功率模块中，Kelvin连接是提升开关速度和效率的关键，但其带来的寄生参数耦合问题直接影响系统的电磁兼容性（EMC）和开关损耗。建议研发团队在设计高功率密度逆变器及PCS模块时，参考...
用于串联中压SiC MOSFET的带短路保护的高级双通道栅极驱动器
Advanced Dual-Channel Gate Driver With Short-Circuit Protection for Series-Connected Medium-Voltage SiC MOSFETs
Rui Wang · Drazen Dujic · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文针对中压应用场景，提出了一种专为串联SiC MOSFET设计的双通道栅极驱动器（D-GD）。该驱动器具备高效的短路保护功能，旨在解决SiC器件在高压环境下开关性能与可靠性的平衡问题，提升功率模块的整体运行稳定性。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着光伏逆变器和储能系统（如PowerTitan系列）向更高电压等级（1500V及以上）演进，SiC器件的串联应用成为提升功率密度和效率的关键。该驱动器设计的短路保护机制能显著增强大功率模块的可靠性，降低故障率。建议研发团队关注该驱动方案在组串式逆变器及大功率...
一种用于SiC+Si混合开关的变触发模式新型单门极驱动电路
A Novel Single-Gate Driver Circuit for SiC+Si Hybrid Switch With Variable Triggering Pattern
Yongsheng Fu · Haipeng Ren · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月
混合开关因其高效率和低成本而备受关注。传统方案通常需要两个独立的驱动器和信号，增加了成本与控制复杂度。本文提出了一种仅需单驱动信号和单驱动器的新型SiC+Si混合开关驱动电路，通过简单的电阻网络实现变触发模式，有效简化了电路设计。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan储能变流器（PCS）具有重要参考价值。通过SiC与Si混合开关技术，可以在保证高效率的同时降低系统整体成本，特别是在大功率储能变流器中，利用该单驱动电路方案可显著简化PCB布局并降低驱动成本。建议研发团队评估该方案在提升功率密度方面的潜力，并针对高...
硅IGBT、碳化硅MOSFET和氮化镓HEMT在低至10毫开尔文深低温环境下的首次特性表征
First Characterization of Si IGBT, SiC MOSFET, and GaN HEMT at Deep Cryogenic Temperatures Down to 10 Millikelvins
Xin Yang · Zineng Yang · Matthew Porter · Linbo Shao 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月
本文首次研究了Si IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT在深低温（T < 4.2 K）环境下的电气特性。深低温电力电子转换在量子计算、空间探测等领域具有重要意义，但目前缺乏相关器件在高压及动态开关性能方面的研究数据。
解读: 该研究探讨了功率器件在极低温环境下的极限性能，目前阳光电源的核心业务（光伏、储能、风电、充电桩）主要运行在常规环境温度下，该技术尚处于基础物理研究阶段。然而，随着量子计算辅助能源管理及极端环境空间能源系统的兴起，宽禁带半导体（SiC/GaN）在极端工况下的可靠性数据可为未来前瞻性技术储备提供参考。建...
SiC MOSFET瞬态解析建模方法综述：原理、现状与参数建模
A Brief Review of SiC MOSFET Transient Analytical Modeling Methods: Principles, Current Status, and Parameters Modeling
Lina Wang · Zezhuo Yuan · Junming Chang · Zaiqia Wu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月
本文综述了SiC MOSFET开关瞬态的解析建模方法。相比硅基器件，SiC器件具有更高的开关速度，但也带来了更复杂的电磁干扰和应力问题。解析模型因其简洁、直观和实用性，在评估和优化功率器件开关性能方面受到广泛关注，对于提升电力电子系统的功率密度和效率具有重要意义。
解读: SiC器件是阳光电源提升逆变器及储能PCS功率密度的核心技术路径。该文献提出的瞬态解析建模方法，可直接应用于阳光电源组串式逆变器（如SG系列）及PowerTitan/PowerStack储能系统的功率模块设计中。通过更精确的开关瞬态建模，研发团队能有效优化驱动电路参数，在提升开关频率以减小磁性元件体...
混合式高压直流断路器中负载换流开关的技术评估
Technical Assessment of Load Commutation Switch in Hybrid HVDC Breaker
Arman Hassanpoor · Jurgen Hafner · Bjorn Jacobson · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年10月
大规模高压直流（HVDC）电网的建设亟需可靠、快速且低损耗的断路器。负载换流开关（LCS）作为ABB混合式HVDC断路器的核心组件，负责构建低损耗的负载电流导通路径。本文通过研究其工作原理，详细阐述了LCS的技术要求及性能评估。
解读: 该文章聚焦于高压直流输电（HVDC）领域的断路器技术，与阳光电源现有的光伏逆变器、储能系统及充电桩业务在电压等级和应用场景上存在较大差异。虽然阳光电源在大型地面电站和储能电站中涉及直流侧保护，但目前产品线主要集中在配电侧及中压以下应用。建议关注该技术中关于高压大电流下的功率器件选型及快速关断策略，这...
基于Si IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT的单相T型逆变器性能基准测试
Single-Phase T-Type Inverter Performance Benchmark Using Si IGBTs, SiC MOSFETs, and GaN HEMTs
Emre Gurpinar · Alberto Castellazzi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年1月
本文对600V等级的Si IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT功率开关在单相T型逆变器中的性能进行了基准测试。评估了各技术的驱动要求、开关性能、逆变器效率、散热器体积、输出滤波器体积及死区效应。研究表明，GaN器件在驱动损耗方面表现最优。
解读: 该研究直接关联阳光电源的核心业务——光伏逆变器及储能变流器（PCS）的功率密度提升。T型三电平拓扑是阳光电源组串式逆变器和储能PCS的主流技术路线。通过对比Si、SiC和GaN在600V等级下的性能，为公司下一代高功率密度产品（如户用光伏及小型工商业储能）的选型提供了关键参考。建议研发团队重点关注G...
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