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多芯片功率模块中辅助源极连接的影响

Effects of Auxiliary-Source Connections in Multichip Power Module

作者 Helong Li · Stig Munk-Nielsen · Xiongfei Wang · Szymon Beczkowski · Steve R. Jones · Xiaoping Dai
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2017年10月
技术分类 功率器件技术
技术标签 功率模块 IGBT 可靠性分析 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 辅助源 功率模块 MOSFET IGBT 开尔文源极 栅极回路 功率回路 开关性能
语言:

中文摘要

本文研究了多芯片功率模块中辅助源极连接(Kelvin连接)的工作机制。研究揭示,辅助源极连接并不能完全解耦功率回路与门极驱动回路。文章分析了其对开关性能及电流分配的影响,为优化功率模块设计提供了理论依据。

English Abstract

Auxiliary-source bond wires and connections are widely used in power modules with paralleled mosfets or insulated gate bipolar transistor (IGBTs). This paper investigates the operation mechanism of the auxiliary-source connections in multichip power modules. It reveals that the auxiliary-source connections cannot fully decouple the power loop and the gate loop such as the Kelvin-source connection,...
S

SunView 深度解读

该研究直接关联阳光电源的核心产品线,如组串式/集中式光伏逆变器及PowerTitan储能系统中的功率模块设计。在高性能功率模块中,Kelvin连接是提升开关速度和效率的关键,但其带来的寄生参数耦合问题直接影响系统的电磁兼容性(EMC)和开关损耗。建议研发团队在设计高功率密度逆变器及PCS模块时,参考该文对辅助源极回路的解耦分析,优化驱动电路布局,以进一步提升产品效率并降低功率器件的电压应力,从而增强系统长期运行的可靠性。