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宽温应用下1.2kV SiC功率MOSFET与Si IGBT动态性能温度依赖性对比研究
Temperature Dependence of Dynamic Performance Characterization of 1.2-kV SiC Power mosfets Compared With Si IGBTs for Wide Temperature Applications
| 作者 | Jinwei Qi · Xu Yang · Xin Li · Kai Tian · Zhangsong Mao · Song Yang · Wenjie Song |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 IGBT 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET Si IGBT 温度依赖性 动态性能 电能变换 开关特性 宽温应用 |
语言:
中文摘要
本文研究了1.2kV SiC MOSFET在宽温条件下的动态性能，并与Si IGBT进行了对比。由于SiC材料的优越性，其在实现高功率密度和高效率转换方面具有巨大潜力。研究极端温度下的开关特性对于保障电力转换系统的安全与持续运行至关重要。
English Abstract
Due to the superior material properties, SiC mosfet is a promising candidate switching device for high power density and high efficiency power conversion system. The robustness of switching device under extreme temperature condition becomes a crucial factor to ensure power conversion system safely and continuously operating. In this paper, the temperature dependence of dynamic performance of 1.2-k...
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SunView 深度解读
该研究直接关联阳光电源的核心功率变换技术。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC器件以提升功率密度和效率，理解SiC在极端温度下的动态特性对于优化驱动电路设计、提升系统热管理能力及可靠性至关重要。建议研发团队利用该研究结论，完善SiC模块的选型标准及驱动参数匹配，特别是在高海拔或高温环境下的逆变器及PCS产品设计中，通过精准的动态特性建模，进一步降低开关损耗并提升产品在极端工况下的鲁棒性。