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多芯片功率模块封装中中点电感对开关瞬态影响的分析与实验评估
Analysis and Experimental Evaluation of Middle-Point Inductance's Effect on Switching Transients for Multiple-Chip Power Module Package
| 作者 | Fei Yang · Zhiqiang Wang · Zheyu Zhang · Steven L Campbell · Fei Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 功率模块 IGBT 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 中点电感 多芯片功率模块 开关瞬态 频域分析 功率模块封装 寄生电感 |
语言:
中文摘要
本文分析了多芯片功率模块封装中中点电感对开关瞬态的影响。通过频域分析方法,揭示了中点电感在开关过程中的作用机理,并设计制造了可变电感的专用多芯片功率模块进行实验验证,为优化功率模块封装设计提供了理论依据。
English Abstract
Middle-point inductance ${{\boldsymbol L}_{{\boldsymbol {\text{middle}}}}}$ can be introduced in multiple-chip power module package designs. In this paper, the effect of middle-point inductance on switching transients is analyzed first using a frequency-domain analysis. Then a dedicated multiple-chip power module is fabricated with the capability of varying ${{\boldsymbol L}_{{\boldsymbol {\text{m...
S
SunView 深度解读
该研究聚焦于功率模块内部寄生参数(中点电感)对开关瞬态的影响,对阳光电源的核心产品线具有重要参考价值。在组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)中,随着功率密度的不断提升,多芯片并联封装已成为主流。优化中点电感设计能有效降低开关过程中的电压尖峰和振荡,从而提升IGBT/SiC模块的可靠性,并降低EMI滤波器的设计难度。建议研发团队在下一代高功率密度模块选型及定制化封装设计中,引入该频域分析方法,以优化功率回路布局,提升产品在极端工况下的鲁棒性。