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用于串联中压SiC MOSFET的带短路保护的高级双通道栅极驱动器

Advanced Dual-Channel Gate Driver With Short-Circuit Protection for Series-Connected Medium-Voltage SiC MOSFETs

作者 Rui Wang · Drazen Dujic
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2025年10月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 功率模块 储能变流器PCS 光伏逆变器
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 双通道栅极驱动器 短路保护 SiC MOSFETs 中压 功率模块 开关性能 栅极驱动电路
语言:

中文摘要

本文针对中压应用场景,提出了一种专为串联SiC MOSFET设计的双通道栅极驱动器(D-GD)。该驱动器具备高效的短路保护功能,旨在解决SiC器件在高压环境下开关性能与可靠性的平衡问题,提升功率模块的整体运行稳定性。

English Abstract

The dual-channel gate driver (D-GD) is widely employed in the industry to support the extensive adoption of half-bridge power modules. With the growing popularity of silicon-carbide (SiC) devices in medium-voltage (MV) scenarios known for their superior switching performance compared to traditional silicon counterparts, this article proposes a comprehensive D-GD design tailored for MV SiC mosfet h...
S

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着光伏逆变器和储能系统(如PowerTitan系列)向更高电压等级(1500V及以上)演进,SiC器件的串联应用成为提升功率密度和效率的关键。该驱动器设计的短路保护机制能显著增强大功率模块的可靠性,降低故障率。建议研发团队关注该驱动方案在组串式逆变器及大功率PCS中的集成潜力,特别是在提升高压SiC模块动态均压能力和保护响应速度方面,可作为下一代高频高效功率变换平台的技术储备。