← 返回
用于串联中压SiC MOSFET的带短路保护的高级双通道栅极驱动器
Advanced Dual-Channel Gate Driver With Short-Circuit Protection for Series-Connected Medium-Voltage SiC MOSFETs
| 作者 | Rui Wang · Drazen Dujic |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 储能变流器PCS 光伏逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 双通道栅极驱动器 短路保护 SiC MOSFETs 中压 功率模块 开关性能 栅极驱动电路 |
语言:
中文摘要
本文针对中压应用场景,提出了一种专为串联SiC MOSFET设计的双通道栅极驱动器(D-GD)。该驱动器具备高效的短路保护功能,旨在解决SiC器件在高压环境下开关性能与可靠性的平衡问题,提升功率模块的整体运行稳定性。
English Abstract
The dual-channel gate driver (D-GD) is widely employed in the industry to support the extensive adoption of half-bridge power modules. With the growing popularity of silicon-carbide (SiC) devices in medium-voltage (MV) scenarios known for their superior switching performance compared to traditional silicon counterparts, this article proposes a comprehensive D-GD design tailored for MV SiC mosfet h...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。随着光伏逆变器和储能系统(如PowerTitan系列)向更高电压等级(1500V及以上)演进,SiC器件的串联应用成为提升功率密度和效率的关键。该驱动器设计的短路保护机制能显著增强大功率模块的可靠性,降低故障率。建议研发团队关注该驱动方案在组串式逆变器及大功率PCS中的集成潜力,特别是在提升高压SiC模块动态均压能力和保护响应速度方面,可作为下一代高频高效功率变换平台的技术储备。