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并联SiC MOSFET模块中减少过冲、振荡及dV/dt产生的可选主动电流平衡技术
Reduced Overshoots, Oscillations, and dV/dt Generation in Parallel Connected SiC MOSFET Modules With Optional Active Current Balancing
| 作者 | Mason Parker · Sebastián Neira · Edward L. Horsley · Stephen Finney · Paul D. Judge |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 光伏逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 碳化硅MOSFET 功率模块 电流平衡 开关振荡 电压过冲 dV/dt 功率变换器 |
语言:
中文摘要
碳化硅（SiC）MOSFET相比硅基IGBT具有更高的开关速度和更低的损耗。然而，在并联应用中，其开关振荡、漏源电压过冲及高dV/dt问题限制了其在中高功率变换器中的应用。本文研究了通过主动电流平衡技术来抑制这些负面效应，以提升功率模块的可靠性与性能。
English Abstract
Silicon Carbide mosfets offer increased switching speeds, reduced filtering component sizes and lower switching losses when compared to Silicon IGBTs in power converters. However, available module current ratings, increased oscillatory switching behavior, large drain-source voltage overshoots, and high output voltage $dV/dt$ levels are all limiting factors to their adoption in medium to high-power...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统）具有极高的应用价值。随着公司产品向更高功率密度和更高效率演进，SiC器件已成为主流选择。并联SiC模块带来的电压过冲和EMI问题是研发中的难点，该文提出的主动电流平衡方案可有效降低开关应力，提升系统可靠性。建议研发团队在下一代高功率密度逆变器及PCS设计中引入该主动驱动策略，以优化EMI表现并延长功率模块的使用寿命。