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SiC与Si二极管的EMI产生特性：反向恢复特性的影响
EMI Generation Characteristics of SiC and Si Diodes: Influence of Reverse-Recovery Characteristics
| 作者 | Xibo Yuan · Sam Walder · Niall Oswald |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2015年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 光伏逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC肖特基二极管 Si PIN二极管 反向恢复电流 EMI 开关损耗 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文研究了碳化硅（SiC）肖特基二极管与传统硅（Si）PIN二极管在电磁干扰（EMI）产生特性上的差异。SiC二极管因无反向恢复电流（RRC）特性，在降低开关损耗的同时，对EMI性能的改善作用是本文分析的核心。
English Abstract
Silicon carbide (SiC) Schottky diodes with zero reverse-recovery current (RRC) are perceived as superior due to their reduced switching losses. The absence of reverse-recovery behavior in these devices is also expected to result in reduced electromagnetic interference (EMI), compared with the conventional silicon (Si) PIN diodes. In this letter, the influence of SiC Schottky diodes on EMI generati...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan储能系统等产品中全面推进SiC功率器件的应用，理解其EMI特性对优化高频化设计至关重要。SiC器件虽能显著提升效率并减小磁性元件体积，但其高dv/dt带来的EMI挑战需在PCB布局及滤波器设计中重点考量。建议研发团队利用该研究结论，在下一代高功率密度逆变器及PCS设计中，通过优化驱动电路与布线，在发挥SiC低损耗优势的同时，有效抑制EMI噪声，确保产品满足严苛的电磁兼容标准。