用于先进功率转换应用的1700V/50A SiC功率MOSFET相较于Si IGBT/BiMOSFET的高开关性能

High Switching Performance of 1700-V, 50-A SiC Power MOSFET Over Si IGBT/BiMOSFET for Advanced Power Conversion Applications

作者	Samir Hazra · Ankan De · Lin Cheng · John Palmour · Marcelo Schupbach · Brett Hull · Scott Allen · Subhashish Bhattacharya
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2015年1月
技术分类	功率器件技术
技术标签	SiC器件宽禁带半导体功率模块光伏逆变器储能变流器PCS
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	SiC MOSFET 宽禁带功率变换开关损耗导通电阻高压功率器件

语言:

中文摘要

由于碳化硅（SiC）比硅（Si）具有更宽的带隙，SiC MOSFET显著降低了高压功率器件中的漂移区电阻。凭借极低的导通电阻和固有的低开关损耗，SiC MOSFET能够显著提升变换器效率并实现更紧凑的系统设计，是替代传统Si器件的理想选择。

English Abstract

Due to wider band gap of silicon carbide (SiC) compared to silicon (Si), MOSFET made in SiC has considerably lower drift region resistance, which is a significant resistive component in high-voltage power devices. With low on-state resistance and its inherently low switching loss, SiC MOSFETs can offer much improved efficiency and compact size for the converter compared to those using Si devices. ...

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的战略价值。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，采用1700V SiC MOSFET可显著提升系统功率密度，减少散热器体积，从而降低整机重量与成本。特别是在高压储能系统应用中，SiC器件能有效降低开关损耗，提升系统整体转换效率。建议研发团队重点评估该器件在1500V光伏系统及高压储能变流器中的应用，通过优化驱动电路和EMI设计，进一步提升产品在极端工况下的可靠性与能效表现。