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基于数据手册的碳化硅功率MOSFET紧凑模型
包含第三象限特性
| 作者 | Arman Ur Rashid · Md Maksudul Hossain · Asif Imran Emon · Homer Alan Mantooth |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 储能变流器PCS 光伏逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 碳化硅 (SiC) SiC MOSFET 紧凑模型 第三象限特性 同步整流 电力电子仿真 基于数据手册 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种碳化硅（SiC）功率MOSFET仿真模型，在保证第一象限精度的同时，能准确预测静态和动态的第三象限行为。该模型具备非对称第三象限特性，对于同步整流仿真至关重要，且仅需基于数据手册参数即可构建，提升了电力电子系统设计的仿真效率与准确性。
English Abstract
This article presents a simulation model of silicon carbide (SiC) power MOSFET that accurately predicts both the static and dynamic third-quadrant behavior without compromising the first-quadrant's accuracy. Unlike existing models, this model features an asymmetric third-quadrant behavior for MOSFET characteristics necessary for the accurate synchronous rectifier simulations. Moreover, it includes...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器及PowerTitan、PowerStack等储能系统中全面推进SiC器件的应用，该模型具有极高的工程价值。SiC MOSFET的第三象限特性直接影响同步整流效率及死区时间设置，对提升系统整体转换效率至关重要。该模型通过数据手册驱动，能够显著缩短研发周期，降低仿真与实测的偏差。建议研发团队将其集成至iSolarCloud配套的仿真工具链中，用于优化高频变换器的损耗评估与热设计，进一步提升产品在极端工况下的可靠性与功率密度。