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一种用于高dv/dt高频功率器件的创新栅极驱动器及电源架构表征与分析
Characterization and Analysis of an Innovative Gate Driver and Power Supplies Architecture for HF Power Devices With High dv/dt
| 作者 | Van-Sang Nguyen · Lyubomir Kerachev · Pierre Lefranc · Jean-Christophe Crebier |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 储能变流器PCS 光伏逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 栅极驱动器 功率器件 高开关频率 高dv/dt EMI优化 寄生电容 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种适用于高开关频率及高切换速度功率器件的低侧/高侧栅极驱动器架构。通过优化电路设计，改变功率侧与控制侧之间传输路径的寄生电容，有效实现了电磁干扰（EMI）的抑制。
English Abstract
This paper presents a specific architecture for a low-side/high-side gate driver implementation for power devices running at high switching frequencies and under very high switching speeds. An electromagnetic interference (EMI) optimization is done by modifying the parasitic capacitance of the propagation paths between the power and the control sides, thanks to a specific design of the circuit. Mo...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在光伏逆变器（如组串式SG系列）和储能系统（如PowerTitan）中广泛应用SiC等宽禁带半导体器件，高频化和高dv/dt带来的EMI挑战日益严峻。该研究提出的栅极驱动架构及寄生参数优化方法，对于提升功率模块的电磁兼容性、减小滤波器体积及提高系统功率密度具有直接参考价值。建议研发团队将其应用于新一代高频高效逆变器及PCS模块的驱动电路设计中，以优化系统EMI表现并提升产品可靠性。