作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

本文档为IEEE电力电子学汇刊（TPEL）2024年第39卷的年度索引，汇集了该年度发表的关于电力电子拓扑、控制策略、功率器件及系统集成等领域的学术论文目录，是电力电子领域前沿技术研究的重要参考资料。

解读: 作为电力电子领域的顶级期刊，TPEL 2024年度索引涵盖了逆变器拓扑优化、宽禁带半导体（SiC/GaN）应用及构网型控制等核心技术。这些研究直接支撑阳光电源的组串式/集中式光伏逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统的技术迭代。建议研发团队重点关注其中关于高功率密度变换器设计、多...

作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年12月

本文档为IEEE电力电子学汇刊（TPEL）2015年第30卷的年度索引，汇集了该年度发表的所有学术论文的目录与索引信息，涵盖了电力电子拓扑、控制策略、功率器件及系统应用等领域的核心研究成果。

解读: 作为年度索引文献，本文档虽无具体技术细节，但其收录的2015年电力电子领域研究成果是阳光电源技术演进的重要基石。2015年正是组串式逆变器与多电平拓扑技术快速迭代的时期，这些研究直接支撑了阳光电源后续在SG系列组串式逆变器及PowerTitan储能系统中的高效率拓扑设计。建议研发团队回顾该年度关于三...

作者未知 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年12月

本文档为IEEE电力电子学汇刊（TPEL）2020年第35卷的年度索引，涵盖了该年度发表的所有关于电力电子拓扑、控制策略、功率器件及系统应用等领域的学术论文目录。

解读: 该文献为年度索引，虽无具体技术细节，但涵盖了2020年电力电子领域的核心研究方向。对于阳光电源而言，索引中涉及的宽禁带半导体（SiC/GaN）、多电平拓扑及先进控制算法是提升组串式逆变器效率和PowerTitan储能系统功率密度的关键。建议研发团队通过索引检索当年关于‘构网型（GFM）’控制及‘高频...

Sudip K. Mazumder · John Shen · Shuo Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

本文为IEEE电力电子汇刊特刊的客座社论，重点探讨了超宽禁带（UWBG）与宽禁带（WBG）半导体器件的最新进展。内容涵盖了从功率器件设计、先进封装技术、高性能控制策略到电磁干扰（EMI）抑制及电力电子系统应用的全方位研究，旨在推动下一代高功率密度、高效率电力电子系统的技术演进。

解读: 该文章聚焦的宽禁带半导体（SiC/GaN）技术是阳光电源提升产品竞争力的核心。在光伏逆变器领域，应用SiC器件可显著提升组串式及集中式逆变器的功率密度与转换效率；在储能系统（如PowerTitan、PowerStack）中，宽禁带器件有助于减小PCS体积并降低散热成本。此外，文章提及的先进封装与EM...

童乐天 · 彭晗 · 岳乔治 · 辛晴 等5人 · 中国电机工程学报 · 2025年4月 · Vol.45

功率器件因封装和电路设计存在寄生电感，易引发门极振荡或电气应力增加。本文采用分布式参数耦合提取法建立器件内部与封装的全面寄生电感模型，通过瞬时能量积分分析寄生电感能量交互。提出能量转移支路实现寄生电感能量再利用，并结合dvce/dt产生的位移电流分流，分别调控电压和电流变化率。该技术可同时优化开关损耗与电气应力，无需高成本器件。在IKW75N60T双脉冲测试中（400 V/60 A），电流与电压过冲分别降低12.0%和14.5%，开通与关断损耗减少4.16%和7.6%。

解读: 该IGBT寄生电感能量利用技术对阳光电源的功率变换产品具有重要应用价值。通过寄生电感建模和能量转移支路设计,可有效降低SG系列光伏逆变器、ST系列储能变流器中IGBT的开关损耗和电压应力。特别是在1500V高压系统中,该技术可提升功率器件可靠性,降低散热设计成本。对于车载OBC和充电桩等对功率密度要...

蔡希鹏 · 杨柳 · 周月宾 · 饶宏 等10人 · 中国电机工程学报 · 2025年5月 · Vol.45

柔性直流输电技术是大规模新能源外送的重要载体。我国高海拔地区新能源基地宇宙射线大气中子通量大，严重威胁电压源换流器高压直流（VSC-HVDC）功率器件的可靠运行。目前高海拔应用案例及中子辐照失效率数据缺乏，影响规律不明。本文针对4.5 kV等级主流功率器件，提出IGBT与旁路转折晶闸管的大气中子辐照等效加速试验方法，开展实验并分析工作电压、温度及中子通量对失效率的影响，获取高海拔下器件的中子辐照失效率，为高海拔VSC-HVDC系统安全设计提供依据。

解读: 该研究对阳光电源高海拔应用的功率器件可靠性设计具有重要指导意义。研究成果可直接应用于SG系列高海拔光伏逆变器和ST系列储能变流器的IGBT选型与防护设计，特别是在西藏、青海等高海拔新能源基地的产品应用中。通过掌握中子辐照对IGBT失效率的影响规律，可优化产品的过压保护设计，提升功率模块可靠性，降低高...

Jiangbin Wan · Hengyu Wang · Chi Zhang · Ce Wang · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于结的深台面终端结构，用于提升千伏级以上垂直β-Ga2O3功率器件的击穿性能。通过精确控制台面刻蚀深度并结合p型掺杂层形成局部PN结，有效调制表面电场分布，抑制边缘击穿。实验结果表明，该终端结构显著提高了器件的击穿电压与可靠性，为高性能氧化镓功率器件的规模化应用提供了可行方案。

解读: 该β-Ga2O3功率器件终端技术对阳光电源具有前瞻性战略价值。深台面结终端结构实现的千伏级击穿电压和高可靠性，可为ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的下一代功率模块提供超越SiC的技术路径。Ga2O3的超宽禁带特性（4.8eV）和高临界击穿场强（8MV/cm）可显著降低导通损耗，提升1500V光...

Leopoldo Rossetto · Giorgio Spiazzi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

在实际运行条件下精确测量功率器件的通态电压，对于器件特性分析及健康状态监测至关重要。本文提出了一种具有高带宽和高精度的通态电压测量电路。通过辅助电路实现了测量系统参考电位与主电路的解耦，有效提升了测量性能。

解读: 该技术对阳光电源的功率器件选型、可靠性评估及iSolarCloud智能运维平台具有重要价值。在光伏逆变器（如组串式、集中式）及储能系统（如PowerTitan、PowerStack）中，功率模块的通态电压是评估损耗与结温的关键指标。通过引入该高精度测量电路，可实现对IGBT或SiC器件在实际工况下的...

Diego Chiozzi · Mirko Bernardoni · Nicola Delmonte · Paolo Cova · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年5月

本文提出了一种基于神经网络（NN）的电力电子器件电热交互仿真建模方法。该方法利用神经网络处理电力电子器件复杂的非线性及温度相关特性，并特别适用于电气仿真软件（如SPICE）的集成，有效提升了电热耦合仿真的效率与精度。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan储能系统）具有极高价值。在功率密度不断提升的趋势下，IGBT/SiC模块的热管理是影响系统可靠性的关键。该方法通过神经网络实现电热耦合仿真，可显著缩短研发周期，提升对功率模块在极端工况下热应力的预测精度。建议研发团队将其引...

Jiupeng Wu · Na Ren · Kuang Sheng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月

在高功率工况（如浪涌或雪崩）下，结温是导致功率器件失效的关键因素。由于直接测量结温困难，通常采用间接电学测量结合模型计算的方法。本文提出了一种分布式热源的电热耦合模型，旨在实现浪涌条件下功率器件结温的快速、准确计算，为提升电力电子系统的可靠性提供理论支撑。

解读: 该研究直接关系到阳光电源核心产品（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统）中功率模块的可靠性设计。在高功率密度设计趋势下，逆变器及PCS在极端工况（如电网故障、浪涌冲击）下的热应力分析至关重要。通过引入分布式热源电热耦合模型，研发团队可更精准地评估IGBT/S...

Yalong Li · Edward A. Jones · Fei Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年4月

本文理论分析了模块化多电平变换器（MMC）中电压平衡控制对功率器件开关模式的影响。研究指出，电压平衡控制不仅调节子模块电容电压差，还导致MMC开关模式呈现非确定性，使得开关频率不再是一个独立参数。该研究揭示了控制策略与开关行为之间的耦合机制。

解读: MMC拓扑在阳光电源的大功率集中式光伏逆变器及高压储能系统（如PowerTitan系列）中具有潜在应用价值。该研究揭示了电压平衡控制与开关频率之间的非线性耦合关系，这对优化大功率变换器的损耗模型和热设计至关重要。建议研发团队在开发高压大容量储能变流器（PCS）时，参考此理论模型优化调制策略，以在保证...

Luke Shillaber · Yunlei Jiang · Li Ran · Teng Long · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年12月

随着电力电子器件开关速度进入纳秒级，寄生电感引起的过电压成为制约高频化、小型化的关键挑战。本文提出了一种超快电流分流器（UFCS），具备千兆赫兹带宽和超低电感特性，能够精确测量极高电流变化率（di/dt），为宽禁带半导体器件的驱动与保护提供了有效的测试手段。

解读: 该技术对于阳光电源在SiC和GaN等宽禁带半导体器件的应用至关重要。随着PowerTitan储能系统及组串式逆变器向更高开关频率发展，寄生参数对系统效率和可靠性的影响日益显著。UFCS技术可作为研发阶段的精密测试工具，用于优化功率模块的回路设计，降低开关损耗，并提升iSolarCloud平台对功率器...

Yao Zhao · Zhiqiang Wang · Dan Luo · Cuili Chen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年4月

针对传统热网络模型难以准确预测电力电子器件多时间尺度温度信息的问题，本文提出了一种基于本征正交分解（POD）算法的热网络模型。以MOSFET为例，该模型通过POD算法有效捕捉了器件在不同时间尺度下的热响应特性，显著提升了温度预测的精度与效率，为电力电子系统的热设计提供了新方法。

解读: 该研究对于阳光电源的核心产品线（如组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统）具有极高的应用价值。在功率密度不断提升的背景下，精确的热管理是保证IGBT/SiC功率模块可靠性的关键。POD算法能够实现计算效率与精度的平衡，建议将其集成至iSolarCloud智能运维...

Remco van Erp · Georgios Kampitsis · Elison Matioli · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年7月

本文提出了一种针对多功率器件的高效紧凑冷却方案，通过将多个微流体冷板集成于晶体管表面实现局部热提取。利用3D打印的紧凑型流体分配歧管将冷板并联，有效降低了微通道带来的高压降，在提升功率密度的同时优化了热管理性能。

解读: 随着阳光电源PowerTitan液冷储能系统及组串式逆变器向更高功率密度演进，散热已成为制约性能提升的关键瓶颈。该技术提出的微通道局部冷却与3D打印流体分配方案，能显著降低功率模块（如SiC/IGBT）的结温，提升系统可靠性与功率密度。建议研发团队关注该技术在下一代高密度PCS模块中的应用，通过优化...

Lubin Han · Lin Liang · Yong Kang · Yufeng Qiu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年2月

随着宽禁带半导体材料与工艺的成熟，SiC IGBT作为功率器件的顶尖技术已成功实现制造。本文全面回顾了过去30年SiC IGBT的发展历程，重点分析了其模型构建、结构设计及性能演进，探讨了该技术在电力电子领域的应用潜力与挑战。

解读: SiC IGBT作为下一代高压、高频功率器件的核心，对阳光电源的产品竞争力至关重要。在光伏逆变器领域，SiC IGBT有助于进一步提升组串式及集中式逆变器的功率密度与转换效率，减小散热器体积。在储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及风电变流器中，该技术能显著降低开关损耗，提升系统...

Parham Hekmati · Ian Brown · Zheng Shen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年11月

本文提出了一种简单且快速的功率器件开路故障检测与定位技术。该方法适用于飞跨电容多电平变换器（FCMC）系列，包括DC/DC FCMC、单相或多相H桥FCMC以及级联H桥多电平变换器。该技术通过检测电压和电流方向实现故障定位。

解读: 该技术对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。随着公司产品向更高电压等级和多电平拓扑演进，功率器件的可靠性至关重要。该文提出的快速故障定位算法可集成至iSolarCloud智能运维平台，实现故障的秒级诊断与预警，减少停机时间，降低运维成本。建议研发团队评...

Ruizhe Zhang · Qihao Song · Qiang Li · Yuhao Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月

本文研究了无雪崩能力的GaN HEMT功率器件在连续高频过压开关下的鲁棒性。通过开发基于有源钳位电路的零电压开关转换器测试平台，实现了千伏级过压和兆赫兹频率下的稳定开关测试，揭示了GaN器件在极端工况下的失效边界与可靠性机理。

解读: GaN作为第三代半导体，在提升阳光电源组串式逆变器及户用储能系统功率密度方面具有巨大潜力。该研究针对GaN器件在高频过压下的失效机理分析，为公司在开发下一代高频、高效率功率模块时，优化驱动电路设计、改进有源钳位保护策略提供了关键理论支撑。建议研发团队关注该测试方法，以提升公司在极端工况下对宽禁带半导...

Kazuaki Tesaki · Makoto Hagiwara · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年6月

本文提出了一种用于电气化铁路系统的基于开关电容的非隔离双向DC-DC变换器。该拓扑由多个主变换器（每单元两个功率器件）和多个级联斩波单元组成的辅助变换器构成，并引入小型电感进行电流控制，实现了零电流开关特性。

解读: 该技术提出的开关电容与级联斩波结合的拓扑，在提升功率密度和效率方面具有潜力。对于阳光电源而言，该技术可应用于电动汽车充电桩（如大功率直流快充模块）或储能系统（PCS）的DC-DC级。其非隔离设计有助于降低系统体积和成本，特别是在高压直流母线应用场景下。建议研发团队关注其在宽电压范围下的效率表现及控制...

Qihao Song · Ruizhe Zhang · Joseph Kozak · Jingcun Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月

浪涌能量鲁棒性对汽车动力总成和电网等应用至关重要。与Si和SiC MOSFET不同，GaN HEMT缺乏雪崩能力，主要依靠过压能力承受浪涌能量。本文对共源共栅GaN HEMT在非钳位感性开关（UIS）条件下的浪涌能量鲁棒性进行了全面研究。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及电动汽车充电桩领域对高功率密度和高效率的需求日益增长，GaN器件的应用潜力巨大。本文针对GaN HEMT在UIS条件下的鲁棒性研究，为阳光电源在设计高频、紧凑型功率变换模块时提供了关键的可靠性评估依据。建议研发团队在引入GaN器件时，重点关注其过压耐受特性，并优化驱动电...

Lorenzo Codecasa · Vincenzo dAlessandro · Alessandro Magnani · Andrea Irace · IEEE Transactions on Power Electronics · 2016年8月

本文提出了一种高效的电路级方法，用于功率器件及系统的非线性动态电热仿真。该策略通过一种新型模型降阶（MOR）方法，从有限元模型中提取非线性紧凑热网络，其计算时间比传统方法缩短了几个数量级，有效解决了功率器件在剧烈自热效应下的仿真难题。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线（如PowerTitan储能系统、组串式及集中式逆变器）具有极高的应用价值。在功率密度不断提升的趋势下，IGBT/SiC模块的电热耦合效应是影响系统可靠性的关键。该超快非线性MOR方法可集成至研发流程中，实现对功率模块在极端工况下的实时热应力评估，显著缩短研发周期。建议将...