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基于电感耦合理论的并联SiC MOSFET功率模块共模EMI数学建模
Common-Mode EMI Mathematical Modeling Based on Inductive Coupling Theory in a Power Module With Parallel-Connected SiC MOSFETs
| 作者 | Xiliang Chen · Wenjie Chen · Xu Yang · Yu Ren · Liang Qiao |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 光伏逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 并联技术 电感耦合 EMI 数学建模 功率模块 寄生电感 |
语言:
中文摘要
SiC MOSFET的并联应用可显著提升功率变换器的电流容量与功率等级。然而，并联支路间寄生电感的电感耦合效应，是功率模块电磁干扰（EMI）数学建模的关键挑战。本文提出了针对该问题的精确建模方法，旨在优化高功率密度电力电子系统的电磁兼容性设计。
English Abstract
Parallelization of silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) could significantly improve the current capability and power rating of power converters. However, the inductive coupling effect of parasitic inductance between the paralleled branches is a critical challenge for the mathematical modeling of electromagnetic interference (EMI) in a power module with p...
S
SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的高功率密度产品研发。随着公司组串式逆变器（如SG系列）和大型储能系统（如PowerTitan）向更高功率密度演进，SiC器件的并联应用已成为主流。并联支路间的寄生参数耦合是导致EMI超标和开关损耗不均的核心痛点。该建模方法能有效指导研发团队在设计阶段优化功率模块布局，降低EMI滤波器体积，从而提升产品整体效率与功率密度，并缩短产品在EMC认证环节的调试周期。