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基于双相和三相移调制技术的交错并联CLLC变换器最优电流平衡
Optimal Current Balancing in Interleaved CLLC Converters Using Dual and Triple Phase-Shift Modulation Techniques
Farhad Abbasi · Jun Min · Martin Ordonez · Chris Botting · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年9月
交错并联CLLC变换器具有高功率密度和优良的热性能，但元件参数失配下难以实现单元间电流均衡。本文首次将双相移调制（DPSM）和三相移调制（TPSM）应用于双相交错CLLC变换器，旨在实现宽负载范围内的有效电流平衡、高效率及零电压开关（ZVS）。采用谐波近似法推导了考虑相移参数与无源元件失配影响的谐振电流解析表达式，提出了抑制反向功率流动的条件，并确定了所有开关管的ZVS边界。提出一种优化框架，用于选取满足ZVS、正向功率传输和最小RMS电流的相移参数。2 kW样机实验验证了理论分析的正确性，结果...
解读: 该交错并联CLLC变换器电流平衡技术对阳光电源ST系列储能变流器和PowerTitan大型储能系统具有重要应用价值。TPSM调制策略可直接应用于双向DC-DC隔离级，解决功率模块参数离散性导致的电流不均问题，提升系统可靠性。在大功率储能PCS中，交错并联拓扑配合该优化算法可实现宽负载范围ZVS软开关...
采用可选有源电流均衡的并联SiC MOSFET模块中降低过冲、振荡及dV/dt产生
Reduced Overshoots, Oscillations, and $dV/dt$ Generation in Parallel Connected SiC MOSFET Modules With Optional Active Current Balancing
Mason Parker · Sebastián Neira · Edward L. Horsley · Stephen Finney 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
与功率转换器中的硅绝缘栅双极型晶体管（IGBT）相比，碳化硅（SiC）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）具有更高的开关速度、更小的滤波元件尺寸和更低的开关损耗。然而，可用的模块电流额定值、加剧的振荡开关行为、较大的漏源电压过冲以及较高的输出电压 $dV/dt$ 水平，都是其在中高功率应用中推广的限制因素。此前已证明，采用具有开关沿偏斜特性的器件间电感是一种在模块并联时限制电流不平衡的方法。本文表明，通过精确控制此类配置中各模块之间施加的时序偏斜，可以显著降低过冲、振荡以及输...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项关于并联SiC MOSFET模块的优化控制技术具有重要的应用价值。当前我们在大功率光伏逆变器和储能变流器产品中正面临功率等级提升与开关性能优化的双重挑战，该技术提供了一个切实可行的解决方案。 该研究通过精确控制并联模块间的时序偏移和器件间电感，在实现1600A大电流应...