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一种用于并联SiC MOSFET的门极支路全耦合电感动态均流方法
A Dynamic Current Balancing Method for Paralleled SiC MOSFETs With Gate-Branch Full-Coupled Inductors
| 作者 | Jianwei Lv · Yiyang Yan · Jiaxin Liu · Baihan Liu · Zexiang Zheng · Cai Chen · Yong Kang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 电流平衡 功率模块 栅极支路 耦合电感 开关损耗 结温 |
语言:
中文摘要
在多芯片SiC功率模块中，并联芯片间的动态电流不平衡会导致开关损耗和结温差异，从而缩短器件寿命。现有均流方法存在集成度低或效果不佳的问题。本文提出了一种在门极支路采用全耦合电感的高集成度均流方法，有效改善了并联SiC MOSFET的动态电流分配。
English Abstract
In multichip SiC power modules, unbalanced dynamic currents between the paralleled dies can induce unbalanced switching losses and junction temperatures, reducing the device's lifetime. Existing current sharing methods face challenges of low integration or insufficient effectiveness. This article presents a highly integrated current balancing method with full-coupled inductors in the gate branches...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有重要意义。在PowerTitan等大型储能PCS及组串式光伏逆变器中，高功率密度要求大量使用并联SiC MOSFET模块。该均流方法能显著降低并联芯片间的动态不平衡，直接提升功率模块的可靠性与热稳定性，有助于延长产品使用寿命。建议研发团队在下一代高功率密度SiC模块设计中引入全耦合电感技术，以优化开关过程中的电流分布，从而在保持高效率的同时，提升系统在高负载工况下的长期运行稳定性。