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面向SiC MOSFET模块的高可扩展性增强型栅极驱动器，具备超过100 V/ns的瞬态抗扰度
High-Scalability Enhanced Gate Drivers for SiC MOSFET Modules With Transient Immunity Beyond 100 V/ns
| 作者 | Jun Wang · Slavko Mocevic · Rolando Burgos · Dushan Boroyevich |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 光伏逆变器 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 栅极驱动器 瞬态抗扰度 功率变换器 短路保护 高速换流 |
语言:
中文摘要
随着碳化硅（SiC）晶体管在功率转换市场的普及，对高性能栅极驱动器（GD）的需求日益增长。针对SiC器件在中压水平下极快的换流速度，该研究提出了一种具备高瞬态抗扰度（>100 V/ns）和高效短路保护能力的栅极驱动方案，旨在充分发挥SiC器件的高频、高效性能。
English Abstract
Silicon-carbide (SiC) transistors with growing readiness for the power converter market have raised an emerging need for high-performance gate driver (GD) units to maximize their remarkable characteristics. In particular, the GD units for the SiC devices that experience extremely fast commutations at the medium-voltage level require powerful driving capability, effective short-circuit (SC) protect...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的战略价值。随着公司组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更高效率演进，SiC器件的应用已成为提升产品竞争力的关键。该研究提出的高瞬态抗扰度驱动技术，能有效解决SiC在高频开关过程中产生的EMI干扰及误导通问题，提升系统可靠性。建议研发团队在下一代高频化SiC逆变器及PCS模块设计中引入该驱动架构，以优化短路保护响应速度，进一步缩小功率模块体积，并降低系统散热成本。