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一种基于寄生参数的宽带且易于集成的GaN器件开关电流测量方法
A High-Bandwidth and Easy-to-Integrate Parasitics-Based Switching Current Measurement Method for Fast GaN Devices
| 作者 | |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 日期未知 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN器件 开关电流测量 高带宽 寄生参数 电力电子 开关性能 |
语言:
中文摘要
氮化镓（GaN）器件的高开关速度推动了电力电子变换器向兆赫兹频率发展，但也给开关电流测量带来了巨大挑战。传统测量方法存在带宽不足或改变电路布局电感的问题。本文提出了一种基于寄生参数的电流测量方法，实现了高带宽且对电路布局影响极小，有效提升了GaN器件开关性能的评估精度。
English Abstract
While the very high switching speed of the gallium nitride devices can easily enable power electronics converters to operate at multi megahertz, it also brings huge challenges to switching current measurement, which is very important for the evaluation of switching performance. The conventional switching current measurement methods either have low bandwidth or have influence on layout inductance. ...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对高功率密度要求的提升，GaN器件的应用成为技术演进的重要方向。该测量方法能够精准捕捉GaN高速开关过程中的电流波形，有助于研发团队优化驱动电路设计，降低开关损耗与电磁干扰。建议在下一代高频化、小型化逆变器及微型逆变器研发中引入该测试技术，以提升功率模块的可靠性评估能力，缩短高性能产品的开发周期。