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一种应用于SiC和GaN晶体管的通用SPICE场效应管模型
A Universal SPICE Field-Effect Transistor Model Applied on SiC and GaN Transistors
| 作者 | Achim Endruschat · Christian Novak · Holger Gerstner · Thomas Heckel · Christopher Joffe · Martin Marz |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 GaN器件 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SPICE 模型 场效应管 SiC GaN 行为仿真 温度相关 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种与技术和半导体材料无关的通用场效应管SPICE模型。该行为仿真模型基于测量数据构建，通过查找表与解析方程相结合的混合方法，实现了对温度相关输出特性的精确建模，从而在保证精度的同时显著提升了仿真速度。
English Abstract
This paper presents a universal SPICE model for field-effect transistors, which is independent from technology and semiconductor material. The created behavioral simulation model is based on a set of collected measurement data. The temperature-dependent output characteristics are modeled using a hybrid approach consisting of lookup tables and analytical equations. This leads to fast simulation tim...
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SunView 深度解读
宽禁带半导体（SiC/GaN）是阳光电源提升逆变器及储能PCS功率密度与效率的核心技术。该通用SPICE模型能够显著优化研发阶段的电路仿真精度，特别是针对高频开关下的损耗评估与热特性分析。在组串式逆变器与PowerTitan系列储能变流器的设计中，应用此模型可缩短功率模块的选型与验证周期，提升系统在极端工况下的可靠性预测能力，助力公司在高性能电力电子变换器领域保持技术领先。