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系统并网技术 PWM控制 多物理场耦合 ★ 5.0

不同频率脉冲电压和温度作用下环氧树脂电树枝生长机制的差异性

Differences in Electrical Treeing Mechanisms of Epoxy Resin under Various Frequency Impulse Voltages and Temperature Conditions

张云霄 · 林温馨 · 周远翔 · 刘育豪 等5人 · 中国电机工程学报 · 2025年14月 · Vol.45

电力电子封装绝缘面临高频脉宽调制电压与高温运行环境的双重挑战,其绝缘劣化机制亟需深入探究。本文通过电树枝老化试验与理化分析,研究高温高频方波脉冲下环氧树脂的电树枝生长特性。结果表明,电树枝生长速率随频率升高呈非单调变化,与空间电荷行为及树枝通道碳化程度密切相关。在不同温度与频率耦合作用下,其生长机制存在显著差异:低频时升温使电树枝由枝状转为丛状,生长速率降低;中高频下则显著加快,并在高温高频协同作用下形成大面积气泡状碳化区域。研究结果为高频高温条件下电力电子封装绝缘的设计与状态评估提供了理论依据...

解读: 该研究对阳光电源的功率器件封装和高频变换技术具有重要指导意义。研究发现的高频PWM与高温耦合下环氧树脂绝缘劣化机理,直接关系到SG系列高功率密度光伏逆变器、ST系列储能变流器和车载OBC等产品的可靠性。特别是在采用SiC/GaN器件、提升开关频率的趋势下,封装绝缘材料在高温高频条件下的性能至关重要。...

风电变流技术 GaN器件 ★ 5.0

考虑风电时空相关性成本控制下的配电网多场景运行优化

Distribution Network Multi-Scenario Operation Optimization Considering Spatiotemporal Correlation of Wind Power and Cost Control

许清华 · 太阳能学报 · 2025年1月 · Vol.46

结合卷积自编码器与条件生成对抗网络,提出一种考虑风电时空相关性的配电网多场景运行优化方法。利用卷积自编码器提取风电出力历史数据的时空特征,并作为条件生成对抗网络的输入以生成风电出力场景,通过K-Medoids聚类实现场景缩减,获得典型出力场景集。建立以系统经济性最优为目标的优化运行模型,求解最优潮流分布。基于IEEE 33节点系统的仿真结果表明,该方法可有效提升风电消纳能力,兼顾运行经济性与电能质量。

解读: 该研究对阳光电源的风电变流器和储能系统产品线具有重要参考价值。基于卷积自编码器的风电时空相关性分析方法,可优化ST系列储能变流器的调度策略和PowerTitan系统的容量配置。研究成果可用于提升风储联合运行效率,完善iSolarCloud平台的智能调度算法。特别是在大规模风电并网场景下,该方法有助于...

电动汽车驱动 GaN器件 ★ 4.0

基于多波长激光的瞬态热反射技术用于GaN HEMT沟道温度监测

Multiwavelength Laser-Based Transient Thermoreflectance for Channel-Temperature Monitoring of GaN HEMTs

Yali Mao · Haochen Zhang · Yunliang Ma · Hongyue Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

对于氮化镓(GaN)器件而言,同时具备高空间分辨率和高时间分辨率的沟道温度表征方法需求迫切,但目前仍较为缺乏。在这项工作中,我们开发了一种基于多波长激光的瞬态热反射技术(MWL - TTR),利用320纳米连续波(CW)激光监测沟道温度,532纳米连续波激光监测金属触点,实现了亚微米级空间分辨率和纳秒级时间分辨率。我们对以往常被忽略的320纳米带隙以上激光在温度监测中引起的光电流效应进行了定量研究并予以消除。通过MWL - TTR实现了热反射系数(<inline - formula xmlns:...

解读: 从阳光电源的业务角度来看,这项多波长激光瞬态热反射技术对我们的核心产品具有重要的战略价值。GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)是光伏逆变器和储能变流器中功率转换模块的关键器件,其热管理性能直接影响系统效率、可靠性和使用寿命。 该技术的核心价值在于实现了亚微米空间分辨率和纳秒级时间分辨率的沟...

光伏发电技术 GaN器件 ★ 5.0

电荷转移速率调控的室内有机光伏电池能量损失

Charge transfer rate modulated energy loss in indoor organic photovoltaic cells

Kangning Zhang · Jiawei Qiao · Sixuan Cheng · Mingxu Zhou 等7人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本研究聚焦于室内有机光伏电池中的能量损失机制,揭示了电荷转移速率对能量损耗的关键调控作用。通过优化活性层材料的分子排列与界面特性,有效提升了电荷分离效率并抑制了非辐射复合。结合光强依赖性与外量子效率测量,阐明了低光照条件下能量损失的主要来源及其与电荷动力学的关联。该工作为设计高效室内有机光伏器件提供了理论依据与技术路径。

解读: 该室内有机光伏电池的电荷转移速率调控技术对阳光电源室内光伏应用场景具有参考价值。研究揭示的低光照条件下能量损失机制与电荷动力学关联,可启发SG系列逆变器在弱光环境下的MPPT算法优化,特别是针对室内分布式光伏系统的最大功率点追踪策略。电荷分离效率提升与非辐射复合抑制的思路,可借鉴至功率器件的载流子输...

光伏发电技术 GaN器件 ★ 5.0

基于灵活性量化的抽水蓄能电站规划方法

A Planning Method for Pumped Storage Power Stations Based on Flexibility Quantification

郭海燕段宝仓尹修明薛捍军 · 太阳能学报 · 2025年1月 · Vol.46

针对太阳能与水电资源富集地区的电站规划问题,考虑光伏出力波动性及电网灵活性需求,提出一种抽水蓄能电站规划方法。通过分析光-水-蓄系统的互补机理,构建协调互补框架;建立以投资成本和灵活性优化为目标的双层规划模型,并结合C-DCGAN生成发电场景,采用NSGA-Ⅱ算法进行求解。基于实际电网与河道数据的仿真验证表明,该方法可有效平抑新能源出力波动,提升系统运行稳定性,充分发挥区域资源优势。

解读: 该灵活性量化规划方法对阳光电源PowerTitan储能系统和光储协调控制具有重要应用价值。文中光-水-蓄互补框架可借鉴至光储系统容量配置,通过C-DCGAN场景生成技术优化ST系列储能变流器的功率预测模型,提升MPPT算法对光伏波动的响应能力。双层规划模型中的灵活性量化指标可集成至iSolarClo...

光伏发电技术 GaN器件 ★ 5.0

可极化调控的界面电荷转移及CuInP2S6/AsSBr异质结构中的光伏特性

Polarization-controllable interface charge transfer and photovoltaic properties in CuInP2S6/AsSBr heterostructures

Ziqing Huang · Huakai Xu · Xingyuan Chen · Jiansheng Dong 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文研究了CuInP2S6/AsSBr异质结构中由铁电极化调控的界面电荷转移机制及其对光伏性能的影响。通过第一性原理计算,揭示了外加极化方向可有效调节界面电荷重分布,进而显著影响内建电场和能带偏移。结果表明,特定极化取向下可实现高效的载流子分离与输运,显著提升光电转换效率。该工作为设计高性能、可调控的二维铁电光伏器件提供了理论依据和新思路。

解读: 该铁电异质结界面电荷调控技术对阳光电源光伏逆变器产品具有前瞻性参考价值。研究揭示的极化调控载流子分离机制可启发SG系列逆变器中MPPT算法的优化思路,通过动态调节工作点实现更高效的光电转换。虽然二维铁电材料尚处基础研究阶段,但其可调控内建电场的理念可借鉴至GaN功率器件的栅极电场优化设计中,提升器件...

功率器件技术 GaN器件 ★ 5.0

集成n型和p型铁电有机晶体管的互补式存内逻辑反相器

Complementary logic-in-memory inverters integrating n-channel and p-channel ferroelectric organic transistors

Haitian Wei · Yijie Lin · Zhenxiang Yan · Wenfa Xie 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于n型和p型铁电有机薄膜晶体管的互补式存内逻辑反相器。通过在同一器件中集成具有稳定极化特性的n沟道与p沟道铁电有机晶体管,实现了非易失性存储与逻辑运算功能的协同集成。该反相器展现出良好的开关特性、清晰的逻辑输出以及低功耗操作能力。研究为实现高性能有机存内计算电路提供了可行路径,并推动了柔性、可穿戴电子器件中智能信息处理技术的发展。

解读: 该铁电有机晶体管存内逻辑技术对阳光电源智能控制系统有重要启发价值。其非易失性存储与逻辑运算的协同集成特性,可应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的控制器升级,实现更快速的MPPT追踪和系统响应。特别是在PowerTitan大型储能系统中,该技术有望优化电力调度策略的本地计算效率,降低控制延时...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 5.0

通过漏极侧薄p-GaN结构设计抑制蓝宝石基1200 V增强型GaN HEMT的动态电阻退化

Suppression of Dynamic Resistance Degradation in 1200-V GaN-on-Sapphire E-Mode GaN HEMTs by Drain-Side Thin p-GaN Design

Wenfeng Wang · Feng Zhou · Junfan Qian · Can Zou 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月

动态电阻退化受陷阱效应影响显著,是横向AlGaN/GaN功率器件在高压高频应用中的关键挑战。本文提出一种具有漏极侧薄p-GaN(DST)结构的增强型p-GaN栅HEMT。DST结构通过从漏极侧p-GaN注入空穴抑制动态电阻退化,同时减薄p-GaN层可显著改善导通态电流特性。该减薄工艺与源/漏欧姆接触刻蚀同步进行,兼容现有工艺平台。电路级测试表明,蓝宝石基DST-HEMT在1200 V关断偏压下动态电阻退化极小,性能媲美垂直GaN-on-GaN器件,并展现出优良的动态开关能力,凸显其在高压大功率应...

解读: 该漏极侧薄p-GaN技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。DST-HEMT在1200V高压下实现极低动态电阻退化,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列1500V光伏逆变器的功率模块设计,提升高频开关性能。相比传统GaN器件,该技术通过空穴注入抑制陷阱效应,改善导通损耗,可优化三电平拓扑效率。蓝...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于p-GaN HEMT的紫外探测器在低温下的光响应特性

Photoresponsivity of _p_-GaN HEMT-based ultraviolet photodetectors at low temperatures

Haodong Wang · Meixin Feng · Yaozong Zhong · Xin Chen · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文研究了基于p型GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的紫外光电探测器在低温环境下的光响应性能。通过变温光电测试,系统分析了器件在不同温度下的光电流、响应度及探测机制的变化规律。结果表明,随着温度降低,器件的暗电流显著抑制,光暗电流比大幅提升,同时响应度增强,归因于低温下载流子复合减少与能带结构优化。该工作为高性能紫外探测器在极端环境中的应用提供了实验依据与理论支持。

解读: 该研究对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要参考价值。p-GaN HEMT在低温环境下光响应性能的提升,可用于优化我司SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中的GaN器件温控设计。特别是在-40℃低温工况下,通过抑制暗电流提升光暗电流比的方法,有助于提高GaN器件的开关特性和可靠性。这对于提升极寒地...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

基于GaN缓冲层的硅衬底上实现高击穿电压的常关型Ga2O3晶体管

High breakdown voltage normally off Ga2O3 transistors on silicon substrates using GaN buffer

Mritunjay Kumar · Vishal Khandelwal · Dhanu Chettri · Ganesh Mainali · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种在硅衬底上利用GaN缓冲层实现的高性能常关型Ga2O3金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)。通过引入GaN缓冲层,有效缓解了Ga2O3与硅衬底之间的晶格失配和热应力问题,显著提升了外延质量与器件耐压能力。该器件表现出优异的开关特性与高击穿电压,同时实现了增强型工作模式,适用于高功率电子应用。研究为在低成本硅衬底上集成高性能氧化镓器件提供了可行路径。

解读: 该研究开发的高击穿电压Ga2O3晶体管技术对阳光电源的功率器件升级具有重要参考价值。GaN缓冲层方案可应用于公司SG系列高功率密度光伏逆变器和ST系列储能变流器的新一代功率模块设计,有望在降低成本的同时提升器件耐压性能。特别是在1500V系统应用场景中,该技术可优化三电平拓扑的开关特性,提高系统效率...

电动汽车驱动 GaN器件 ★ 4.0

封装型氮化镓HEMT生物传感器及用于脑损伤检测的手持系统

Packaged GaN HEMT biosensor and handheld system for brain injury detection

Rajiv Thakur · Anil Kumar Saini · Nikhil Suri · Dheeraj Kumar Kharbanda · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于封装型氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)的生物传感器及其集成手持式检测系统,用于快速、灵敏地检测脑损伤相关生物标志物。该器件通过表面功能化实现对目标蛋白的特异性识别,结合紧凑型读出电路,可在临床环境中实现便携式电化学信号采集与分析。实验结果表明,该系统具有高灵敏度、低检测限和良好的选择性,适用于现场即时检测(POCT)场景下的脑损伤早期诊断,为神经创伤的快速评估提供了可行的技术方案。

解读: 该GaN HEMT生物传感器研究虽聚焦医疗领域,但其核心技术对阳光电源GaN功率器件应用具有重要启发。文中展示的GaN器件封装技术、表面功能化处理及高灵敏度信号检测方法,可借鉴至功率模块的热管理与可靠性监测。特别是其紧凑型读出电路与便携式系统设计理念,可应用于SG光伏逆变器和ST储能变流器的智能诊断...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

氧化镓多指MOSFET上微薄膜热电偶的单片集成

Monolithic on-chip integration of micro-thin film thermocouples on multifinger gallium oxide MOSFETs

Hassan Irshad Bhatti · Saudi Arabia · Ganesh Mainali · Xiaohang Li · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了在多指结构的氧化镓金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)上实现微米级薄膜热电偶的单片集成技术。通过优化薄膜沉积与微加工工艺,成功将热电偶直接集成于器件表面,实现实时片上温度监测。该集成方案无需额外封装或外部传感器,显著提升器件热管理精度与响应速度。实验结果表明,集成后的热电偶具有良好的灵敏度与线性输出特性,且对MOSFET电学性能影响可忽略。该技术为高功率半导体器件的热监控提供了紧凑、可靠的解决方案。

解读: 该片上热电偶集成技术对阳光电源的功率器件应用和散热管理具有重要价值。首先可应用于SG系列高功率光伏逆变器的GaN功率模块,实现精确温度监测和过温保护。其次可用于ST系列储能变流器的功率单元散热优化,提升系统可靠性。此外,该技术也适用于大功率充电桩的温度实时监控。通过在功率器件上直接集成温度传感,可实...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

外延高介电势垒AlBN/GaN高电子迁移率晶体管

Epitaxial high-K barrier AlBN/GaN HEMTs

Chandrashekhar Savant · Kazuki Nomoto · Saurabh Vishwakarma · Siyuan Ma · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

报道了一种基于外延生长的高介电常数(high-K)AlBN势垒层的GaN基高电子迁移率晶体管(HEMTs)。通过分子束外延技术实现了高质量AlBN与GaN之间的异质集成,显著增强了极化诱导的二维电子气浓度。该器件展现出优异的栅控能力、高击穿电压和低泄漏电流,得益于AlBN的高导带偏移和大带隙特性。研究为下一代高频、高功率电子器件提供了具有潜力的材料平台和技术路径。

解读: 该AlBN/GaN HEMT技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。高介电常数势垒层设计可提升GaN器件的栅控性能和击穿电压,有助于开发更高效的功率开关管。这项技术可应用于SG系列高频光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率级设计,提升系统功率密度。特别是在1500V大功率系统中,该技术有望降低开关...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

光照调控有机薄膜形貌及其晶体管性能

Light-Induced Regulation of Organic Thin-Film Morphology and Transistor Performance

秦浩然 · 张楠 · 李恩龙 · 谢安 等5人 · 电子元件与材料 · 2025年1月 · Vol.44

有机场效应晶体管(OFETs)因具备低成本、可溶液加工及大面积制备优势,在光电器件领域备受关注,但其性能受限于有机半导体载流子迁移率低及环境稳定性差。本文提出一种光照调控复合有机薄膜形貌的新策略。研究表明,光照可调节半导体与绝缘聚合物间的热动力作用,增强相分离程度、相纯度及晶区连通性,从而显著提升载流子传输。在150 mW/cm²光照下制备的OFETs表现出最优性能,迁移率达0.42 cm²/(V·s),开关比达3×10⁶,阈值电压为2.2 V。该方法为高性能有机光电器件的制备提供了有效途径。

解读: 该光照调控有机薄膜技术对阳光电源的功率器件和光伏产品线具有重要参考价值。通过光照调控提升有机半导体性能的方法,可应用于SG系列逆变器的光电传感器优化,提高MPPT追踪精度。同时,该技术在有机场效应晶体管方面的突破,为开发新型GaN功率器件提供思路,有望应用于ST储能变流器和车载OBC等产品的功率模块...

光伏发电技术 GaN器件 ★ 5.0

基于相似日与VMD-DBO-KELM的分布式光伏发电功率预测方法

A Distributed Photovoltaic Power Forecasting Method Based on Similar Days and VMD-DBO-KELM

方朝雄 · 郑洁云 · 张章煌 · 陈若晨 等6人 · 高电压技术 · 2025年7月 · Vol.51

为降低气象因素对分布式光伏发电功率预测精度的影响,提出一种结合相似日划分与变分模态分解(VMD)及蜣螂优化算法优化核极限学习机(DBO-KELM)的预测方法。首先采用改进ISODATA算法对历史发电数据进行相似日聚类;其次利用VMD将功率序列分解为多个模态分量,并分别输入DBO优化的KELM模型进行预测;最后重构各分量得到最终预测结果。基于实测数据的算例分析表明,该方法在不同相似日场景下均具有较高预测精度和良好适应性。

解读: 该VMD-DBO-KELM功率预测方法对阳光电源iSolarCloud智能运维平台具有直接应用价值。通过相似日聚类与变分模态分解技术,可显著提升SG系列光伏逆变器的功率预测精度,优化MPPT算法的前瞻性控制策略。该方法可集成至PowerTitan储能系统的能量管理模块,实现光储协同优化调度,提高ST...

功率器件技术 GaN器件 ★ 4.0

高击穿电压的710 GHz氮化镓梯度掺杂肖特基势垒二极管

710 GHz GaN gradient doped Schottky barrier diode with high breakdown voltage

Xiufeng Song · Shenglei Zhao · Kui Dang · Longyang Yu 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于氮化镓(GaN)材料的梯度掺杂肖特基势垒二极管,实现了高达710 GHz的截止频率和优异的击穿特性。通过优化梯度掺杂结构,有效调控了电场分布,显著提升了器件的击穿电压,同时保持了低势垒高度与低寄生电阻,从而实现高频与高功率兼容性能。该器件在太赫兹应用中展现出巨大潜力,为下一代高频电子器件提供了可行的技术路径。

解读: 该710GHz GaN梯度掺杂肖特基二极管技术对阳光电源功率器件升级具有重要参考价值。其梯度掺杂结构优化思路可启发我们在SG系列逆变器和ST系列储能变流器中GaN器件的设计,特别是在高频DC-DC变换环节。高击穿电压特性有助于提升1500V系统的可靠性,而优异的高频特性可支持逆变器向更高开关频率发展...

功率器件技术 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 ★ 5.0

宽禁带功率半导体器件封装集成技术与可靠性优化研究

Guest Editor's Message on the Special Issue on Packaging Integration Technology and Reliability Optimization of Wide Bandgap Power Semiconductor Devices

王来利 · 电工技术学报 · 2025年1月 · Vol.40

随着“双碳”目标推进和能源结构转型,以碳化硅、氮化镓为代表的第三代宽禁带功率半导体器件因其高频、高压、高效及耐高温特性,在电力电子装备中应用前景广阔。然而,传统硅基器件的封装技术难以满足其性能与可靠性需求,已成为产业发展的瓶颈。为突破宽禁带器件大规模应用的技术难题,亟需研究其失效机理、新型封装结构、互连技术、驱动保护设计、多芯片并联建模及应用场景下的可靠性优化方法。《电工技术学报》推出该专题,收录10篇高水平论文,涵盖上述五个研究方向,旨在促进学术交流、技术进步与成果转化。

解读: 该研究对阳光电源的SiC/GaN功率器件应用具有重要指导意义。封装集成与可靠性优化技术可直接应用于ST系列储能变流器、SG系列光伏逆变器和电动汽车充电设备的功率模块设计。特别是在高频高压应用场景下,新型封装结构和互连技术有助于提升产品功率密度,多芯片并联建模可优化大功率产品的并联均流性能。失效机理研...

功率器件技术 SiC器件 GaN器件 ★ 5.0

基于AlGaN/GaN HEMT的非经典光电逻辑反相器的实现

Demonstration of AlGaN/GaN HEMT-based non-classical optoelectronic logic inverter

Ramit Kumar Mondal · Fuad Indra Alzakia · Ravikiran Lingaparthi · Nethaji Dharmarasu · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.126

本文报道了一种基于AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的非经典光电逻辑反相器的实验实现。该器件利用光照调控沟道电导,结合HEMT的优异开关特性,实现了光控逻辑反相功能。在无光照时器件处于导通状态,施加特定波长光照后触发载流子分离,导致沟道电流下降并完成逻辑电平翻转。实验结果表明,该反相器具有清晰的输入-输出逻辑关系、良好的响应速度及稳定性。此工作为发展新型集成化、低功耗光逻辑电路提供了可行路径。

解读: 该AlGaN/GaN HEMT光电逻辑反相器技术对阳光电源功率器件创新具有重要启发意义。首先,这种光控开关特性可应用于SG系列逆变器的智能保护电路,提升系统安全性能。其次,光电耦合的非接触控制方式有助于优化ST储能系统的电气隔离设计,提高系统可靠性。此外,该技术为开发新型GaN功率模块提供了创新思路...

储能系统技术 GaN器件 ★ 5.0

通过微相分离提升全聚合物介电复合材料的高温电容储能性能

Enhancement of high-temperature capacitive energy storage performance in all-polymer dielectric composites via microphase separation

Jinbao Chen · Ting Li · Ziyu Lv · Yongbiao Zhai 等5人 · Applied Physics Letters · 2025年1月 · Vol.127

本文报道了一种通过微相分离策略显著提升全聚合物介电复合材料高温电容储能性能的方法。利用不同聚合物组分间的热力学不相容性,构建具有纳米尺度分离结构的复合体系,有效抑制了高温下的漏电流并提高了击穿强度。结果表明,优化后的复合材料在高温环境下展现出优异的储能密度与效率,且循环稳定性良好。该研究为开发适用于极端条件的高性能电介质材料提供了新思路。

解读: 该全聚合物介电复合材料技术对阳光电源功率器件及储能系统具有重要应用价值。微相分离策略提升的高温电容储能性能,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的直流母线电容、滤波电容等关键无源器件,解决高温环境下漏电流大、击穿强度低的痛点。特别是在PowerTitan大型储能系统和1500V高压光伏...

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