← 返回
基于GaN的全桥逆变器控制电路高dv/dt噪声建模与抑制
High dv/dt Noise Modeling and Reduction on Control Circuits of GaN-Based Full Bridge Inverters
| 作者 | Wuji Meng · Fanghua Zhang · Zirui Fu · Guangdong Dong |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 并网逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN器件 dv/dt噪声 共模噪声 栅极驱动器 控制电路 功率变换系统 开关速度 |
语言:
中文摘要
宽禁带半导体器件凭借优异特性实现了更高的开关频率与速度，但超快开关过程导致电力电子系统中产生严重的高dv/dt噪声。该噪声通过电容耦合干扰栅极驱动器及控制电路，影响系统稳定性。本文针对GaN基全桥逆变器，研究了高dv/dt诱导的共模噪声建模及抑制方法。
English Abstract
Wide bandgap semiconductor devices allow higher switching frequency and switching speed for their superior characteristics. However, the ultra-fast switching speed causes severe high dv/dt noise in power conversion systems. High dv/dt induced common mode noise deteriorates the operation of gate drivers and control circuits by capacitive coupling. Since some new-developed gate driver integrated cir...
S
SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升，GaN等宽禁带半导体器件的应用成为技术演进的关键。本文研究的高dv/dt噪声抑制技术，对于提升公司新一代高频化、小型化逆变器及充电桩产品的电磁兼容性（EMC）设计至关重要。通过优化控制电路的布局与抗干扰设计，可以有效降低高频开关带来的共模噪声干扰，提升系统运行的可靠性。建议研发团队在后续的GaN功率模块选型及驱动电路设计中，参考该建模方法，以应对高频化带来的电磁干扰挑战。