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GaN或高di/dt应用中印刷电路板功率回路杂散电感的计算
Calculation of Printed Circuit Board Power-Loop Stray Inductance in GaN or High di/dt Applications
| 作者 | Adrien Letellier · Maxime R. Dubois · Joao Pedro F. Trovao · Hassan Maher |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 杂散电感 GaN 电力电子 高 di/dt 开关 寄生电感 PCB 设计 |
语言:
中文摘要
本文研究了超快开关功率器件中寄生电感的测定方法。随着宽禁带半导体技术的应用，功率变换器实现了极高的di/dt和dv/dt，这对电路布局中的杂散电感提出了严苛要求。本文旨在通过精确计算功率回路电感，优化高频开关电路设计，以提升变换器性能。
English Abstract
This paper is concerned with the determination of parasitic inductance values in very fast switching power devices. To keep improving today's power converters, new technologies are studied, which exhibit very low switching times. The wide-bandgap semiconductors are among the key aspects of these improvements. Thanks to their internal properties, they allow very fast di/dt and dv/dt with very small...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在组串式逆变器及户用储能产品中对功率密度要求的不断提升，引入GaN等宽禁带半导体已成为技术演进的关键。本文提出的功率回路杂散电感计算方法，对于优化高频开关下的电磁干扰（EMI）抑制、降低电压尖峰以及提升功率模块的可靠性具有直接指导意义。建议研发团队将其应用于新一代高频逆变器及微型逆变器的PCB布局设计中，以在实现小型化的同时，确保高开关频率下的系统稳定性和效率。