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考虑非线性结电容的GaN HEMT桥臂串扰建模与分析
Modeling and Analysis of Bridge-Leg Crosstalk of GaN HEMT Considering Nonlinear Junction Capacitances
| 作者 | Binxing Li · Gaolin Wang · Shaobo Liu · Nannan Zhao · Guoqiang Zhang · Xueguang Zhang · Dianguo Xu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMT 桥臂串扰 非线性结电容 误触发 电力电子 解析建模 开关速度 |
语言:
中文摘要
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管具有极快的开关速度和较低的阈值电压，在桥臂电路中可能导致同步续流管产生严重的误触发电压脉冲。为抑制该串扰现象，本文提出了一种考虑非线性结电容影响的串扰电压解析模型，为提升高频功率变换器的可靠性提供了理论支撑。
English Abstract
Gallium nitride high electron mobility transistor (GaN HEMT) has fast switching speed and low threshold voltage, which could result in a severe false triggering voltage pulse at the synchronous freewheeling transistor in bridge-leg circuit when the control transistor turns on. To suppress the crosstalk phenomenon, this article proposes an analytical model about the crosstalk voltage, with consider...
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SunView 深度解读
GaN器件在高频化、小型化趋势下是阳光电源下一代高功率密度逆变器和微型逆变器的核心技术储备。该研究针对GaN桥臂串扰的建模分析，直接关系到公司在开发高频组串式逆变器及户用储能系统（如PowerStack）时，如何优化驱动电路设计以避免误触发，从而提升系统可靠性。建议研发团队将该解析模型集成至仿真平台，用于评估GaN器件在不同PCB布局下的串扰风险，优化驱动参数，确保产品在高开关频率下的稳定运行。