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最大化650V p-GaN栅极HEMT性能：动态导通电阻表征与电路设计考量
Maximizing the Performance of 650-V p-GaN Gate HEMTs: Dynamic RON Characterization and Circuit Design Considerations
| 作者 | Hanxing Wang · Jin Wei · Ruiliang Xie · Cheng Liu · Gaofei Tang · Kevin J. Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 650-V GaN HEMT p-GaN 栅极 动态导通电阻 (dynamic RON) 功率晶体管 开关条件 阈值电压 器件表征 |
语言:
中文摘要
本文系统表征了650V/13A增强型p-GaN栅极功率晶体管。重点评估了静态与动态（开关）条件下的导通电阻（RON）和阈值电压（VTH）。研究发现动态RON对栅极驱动电压（VGS）的依赖性与静态RON存在显著差异，为高频高效电力电子变换器的设计提供了关键参考。
English Abstract
The systematic characterization of a 650-V/13-A enhancement-mode GaN power transistor with p-GaN gate is presented. Critical device parameters such as ON-resistance RON and threshold voltage VTH are evaluated under both static and dynamic (i.e., switching) operating conditions. The dynamic RON is found to exhibit different dependence on the gate drive voltage VGS from the static RON. While reasona...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能系统（如PowerStack）中对高功率密度和高效率的需求日益增加，GaN器件的应用已成为技术演进的关键。本文对650V p-GaN器件动态RON的深入表征，直接指导了高频开关电路的设计与驱动优化，有助于降低逆变器损耗并缩小体积。建议研发团队在下一代高频组串式逆变器及微型逆变器产品中，引入该动态特性评估方法，以提升系统在复杂工况下的可靠性与转换效率。