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一种增强型电流源栅极驱动器中的新型驱动电流控制方法
A Novel Driving Current Control Approach in Enhanced Current-Source Gate Driver
Qiaozhi Yue · Han Peng · Qiaoling Tong · Yong Kang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月
有源栅极驱动器（AGD）因其灵活控制功率晶体管开关行为的能力而备受关注。然而，现有AGD通常需要复杂的开关、电阻或额外电压/电流源，增加了成本、尺寸和复杂度。本文提出了一种增强型电感式电流源栅极驱动器，通过创新的驱动电流控制方法，有效简化了驱动电路架构，降低了系统成本与体积，提升了功率器件的开关性能。
解读: 该技术直接优化了功率模块（IGBT/SiC）的驱动控制逻辑，对阳光电源的核心产品线具有重要价值：1. 光伏逆变器：在组串式及集中式逆变器中，通过优化开关行为可进一步降低开关损耗，提升整机效率；2. 储能系统（PowerTitan/PowerStack）：该驱动方案有助于提升PCS在高频工作下的可靠性...
基于季节性趋势分解的电压源逆变器开路故障诊断方法
A Seasonal–Trend-Decomposition-Based Voltage-Source-Inverter Open-Circuit Fault Diagnosis Method
Yang Zhou · Jin Zhao · Yujin Song · Jiajiang Sun 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年12月
本文针对两电平电压源逆变器中功率晶体管的开路故障，提出了一种基于季节性趋势分解的高精度、鲁棒且简单的诊断方法。该方法首先利用简化的季节性趋势分解算法将三相电流信号分解为趋势、季节和余项分量，随后提取特征以实现故障的快速定位与诊断。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务至关重要。逆变器（组串式、集中式）及储能PCS作为电力电子核心设备，功率器件的可靠性直接影响系统寿命与运维成本。该方法通过信号分解实现故障诊断，无需额外传感器，易于集成至iSolarCloud智能运维平台。建议研发团队将其应用于PowerTitan等大型储能系统及光伏逆变器...
基于压控振荡器控制的数字低压差线性稳压器
Digital Low-Dropout Regulator With Voltage-Controlled Oscillator Based Control
Jin-Gyu Kang · Jeongpyo Park · Min-Gyu Jeong · Changsik Yoo · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年6月
本文介绍了一种基于压控振荡器（VCO）反馈回路控制的数字低压差线性稳压器（DLDO）。该控制回路包含两个VCO，其频率分别由输出电压和参考电平控制。通过比较两个VCO输出时钟的相位，并调节使能功率晶体管的数量及其导通时间，实现对输出电压的精确调节。
解读: 该技术属于集成电路电源管理领域，主要用于芯片级电压调节。对于阳光电源而言，该技术与光伏逆变器或储能PCS内部的控制芯片、驱动电路电源管理模块具有一定的技术关联性。虽然不直接应用于大功率电力电子拓扑，但其高精度的数字控制方案可为iSolarCloud智能运维平台所使用的边缘计算终端或传感器节点的低功耗...
一种集成自健康监测传感器与多源能量收集电路的射频功率放大器
An RF Power Amplifier Integrated With the Self-Health Monitor Sensor and Multisource Energy Harvesting Circuit
Min Sun · Xiaoping Liao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年2月
本文提出了一种1.76 mm × 1.76 mm的电路系统，采用0.18-μm RF CMOS工艺制造。该系统集成了射频功率放大器（PA）、热电堆传感器、多源能量收集电路及能量组合电路，实现了功率晶体管的自健康监测功能。
解读: 该文献探讨的芯片级自健康监测技术与多源能量收集方案，在当前阳光电源的核心业务（光伏逆变器、储能PCS）中属于前沿探索领域。虽然该研究聚焦于射频PA，但其“集成传感器实现自健康监测”的设计思路对阳光电源的功率模块（如IGBT/SiC模块）可靠性提升具有参考价值。建议研发团队关注该技术在功率器件结温监测...
三相两电平电压源逆变器中电容与电感安全连接的软开关系统
Soft-Switching System With Safe Connections of Capacitors and Inductors in Three-Phase Two-Level Voltage Source Inverter
Witold Mazgaj · Zbigniew Szular · Bartosz Rozegnal · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年6月
本文提出了一种用于三相两电平电压源逆变器的新型软开关系统。该方案避免了电容与主开关管并联及电感与辅助开关管串联的传统连接方式，从而在控制系统发生扰动时，有效保护逆变器功率器件免受损坏，提升了系统的鲁棒性。
解读: 该软开关技术对阳光电源的组串式逆变器（SG系列）具有重要参考价值。通过优化开关过程并规避传统软开关电路中易导致器件过压或过流的连接方式，该方案能显著提升逆变器在高频化趋势下的效率，同时增强系统在复杂电网环境下的可靠性。建议研发团队评估该拓扑在中小功率组串式逆变器中的应用潜力，以降低开关损耗并减少对散...
一种具有低阻抗瞬态电流增强缓冲器的高效快速瞬态响应LDO
A High-Efficiency Fast-Transient LDO With Low-Impedance Transient-Current Enhanced Buffer
Xiao Zhao · Qisheng Zhang · Yaping Xin · Shuoyang Li 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年8月
本文提出了一种新型低阻抗瞬态电流增强（LTE）缓冲器，应用于大外置电容的低压差线性稳压器（LDO）。该缓冲器基于电流分流反馈技术和两个交流耦合网络，能够实现极低的输出阻抗，并在负载瞬态响应期间为功率晶体管栅极提供高充放电电流。
解读: 该技术主要涉及电源管理芯片（PMIC）内部的LDO设计，属于电力电子系统的底层控制电路范畴。对于阳光电源而言，该技术可提升光伏逆变器及储能变流器（如PowerTitan、ST系列PCS）内部控制板卡的供电稳定性与瞬态响应速度。在高频开关环境下，更优的LDO性能有助于降低控制信号的抖动，提升系统抗干扰...
一种采用双栅极的单片双向GaN-on-AlN/SiC功率晶体管的特性与运行
Characteristics and Operation of a Monolithic Bidirectional GaN-on-AlN/SiC Power Transistor Employing Dual-Gate
Xiaomeng Geng · Mihaela Wolf · Carsten Kuring · Nick Wieczorek 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年4月
本文展示了一种新型650 V/110 mΩ单片双向GaN-on-AlN/SiC开关，该器件采用双肖特基栅极结构，具备背栅抗扰性，可实现无性能损耗的片上集成。单片双向GaN开关（MBDS）在需要双向电压阻断能力的变换器拓扑中展现出巨大潜力。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及微型逆变器产品线具有重要意义。GaN单片双向开关能显著简化双向DC-DC变换器拓扑，减少器件数量，从而提升功率密度并降低系统体积。对于追求极致轻量化和高效率的户用储能及充电桩应用，该器件可有效降低开关损耗。建议研发团队关注其在双向功率流控制中的可靠性表现，并评估其在...
逆变器开路故障对永磁同步电机多物理量的影响
Influence of Inverter Open Circuit Fault on Multiple Physical Quantities in the PMSM
Haoyue Tang · Weili Li · Zhigang Wu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月
驱动系统故障多发生于逆变器功率管。相比短路故障，开路故障隐蔽性强且不易察觉，虽不会瞬间损毁系统，但会导致电机进入跛行运行模式。本文研究了开路故障下电机多物理量的变化规律，旨在提升故障诊断的准确性与系统可靠性。
解读: 该研究聚焦于逆变器功率器件（IGBT）的开路故障诊断，对阳光电源的组串式光伏逆变器及风电变流器产品线具有重要参考价值。在光伏与风电应用中，逆变器长期运行于复杂环境，功率模块的早期故障检测是提升系统可用性（Availability）的关键。通过分析故障下的多物理量特征，阳光电源可优化iSolarClo...
单片式反向阻断1.2 kV 4H-SiC功率晶体管：一种用于电流源逆变器应用的新型单芯片三端器件
Monolithic Reverse Blocking 1.2 kV 4H-SiC Power Transistor: A Novel, Single-Chip, Three-Terminal Device for Current Source Inverter Applications
Ajit Kanale · Aditi Agarwal · B. Jayant Baliga · Subhashish Bhattacharya · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年9月
电流源逆变器（CSI）要求功率开关具备第一象限导通、门极控制及反向阻断能力。本文展示了一种适用于CSI应用的SiC单片反向阻断晶体管（MRBT）。该器件通过集成SiC JBS二极管与SiC功率晶体管实现，为优化逆变器拓扑提供了新型单芯片解决方案。
解读: 该研究提出的单片反向阻断SiC器件（MRBT）对阳光电源的功率变换技术具有重要参考价值。在电流源逆变器（CSI）应用中，该器件可简化电路拓扑，减少分立器件数量，从而提升系统功率密度和可靠性。对于阳光电源的组串式逆变器及储能变流器（PCS）产品线，若未来在特定高压或特殊拓扑场景下引入此类单芯片集成技术...
具有平滑模式切换的98.1%效率滞环电流模式非反相Buck-Boost DC-DC变换器
98.1%-Efficiency Hysteretic-Current-Mode Noninverting Buck–Boost DC-DC Converter With Smooth Mode Transition
Xiang-En Hong · Jian-Fu Wu · Chia-Ling Wei · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年3月
非反相Buck-Boost DC-DC变换器可在Buck、Boost或Buck-Boost模式下工作，适用于输入电压波动范围大的场景。针对传统四管拓扑因额外开关损耗导致的效率降低问题，本文提出了一种高效率滞环电流控制方案，实现了模式间的平滑过渡，显著提升了变换效率。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及储能系统（如PowerStack）具有重要参考价值。在光伏组串电压波动大或电池电压范围宽的应用场景中，非反相Buck-Boost拓扑是提升系统效率的关键。通过优化滞环电流控制与模式切换逻辑，可进一步降低开关损耗，提升整机效率。建议研发团队关注该平滑切换技术，以优化i...
用于自偏置低压差线性稳压器中小增益级的多重自适应电流反馈技术
Multiple Adaptive Current Feedback Technique for Small-Gain Stages in Adaptively Biased Low-Dropout Regulator
Liyuan Dong · Qisheng Zhang · Xiao Zhao · Shuoyang Li 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月
本文提出了一种用于自偏置低压差线性稳压器（LDO）的多重自适应电流反馈技术。该方案通过在重载下提供与功率晶体管电流成比例的偏置电流，有效避免了额外固定偏置电流带来的功耗，解决了电流镜像缓冲器在LDO应用中的性能瓶颈，优化了芯片面积与功耗平衡。
解读: 该技术主要应用于集成电路电源管理领域，属于功率电子的基础拓扑与电路设计范畴。对于阳光电源而言，虽然该技术不直接应用于光伏逆变器或储能变流器的主功率回路，但其在提升电源管理芯片（PMIC）效率和减小芯片面积方面的研究，对阳光电源电动汽车充电桩内部的控制板卡、iSolarCloud智能运维平台配套的通信...
关于单片集成GaN-on-AlN/SiC晶体管的实验研究
Experimental Investigation of GaN-on-AlN/SiC Transistors With Regard to Monolithic Integration
Xiaomeng Geng · Nick Wieczorek · Mihaela Wolf · Carsten Kuring 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
本文介绍了新型GaN-on-AlN/SiC功率HEMT器件。相比传统的GaN-on-Si HEMT，该器件有效克服了公共衬底引起的背栅效应，显著提升了器件性能，为实现功率器件的单片集成提供了技术路径。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及电动汽车充电桩领域对高功率密度和小型化的追求，GaN器件的应用至关重要。该研究提出的GaN-on-AlN/SiC技术通过抑制背栅效应，解决了单片集成中的关键瓶颈，有助于进一步减小逆变器及充电模块的体积，提升开关频率。建议研发团队关注该技术在下一代高频、高效率功率模块中的...
最大化650V p-GaN栅极HEMT性能：动态导通电阻表征与电路设计考量
Maximizing the Performance of 650-V p-GaN Gate HEMTs: Dynamic RON Characterization and Circuit Design Considerations
Hanxing Wang · Jin Wei · Ruiliang Xie · Cheng Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年7月
本文系统表征了650V/13A增强型p-GaN栅极功率晶体管。重点评估了静态与动态（开关）条件下的导通电阻（RON）和阈值电压（VTH）。研究发现动态RON对栅极驱动电压（VGS）的依赖性与静态RON存在显著差异，为高频高效电力电子变换器的设计提供了关键参考。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能系统（如PowerStack）中对高功率密度和高效率的需求日益增加，GaN器件的应用已成为技术演进的关键。本文对650V p-GaN器件动态RON的深入表征，直接指导了高频开关电路的设计与驱动优化，有助于降低逆变器损耗并缩小体积。建议研发团队在下一代高频组串式...