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一种具有低阻抗瞬态电流增强缓冲器的高效快速瞬态响应LDO
A High-Efficiency Fast-Transient LDO With Low-Impedance Transient-Current Enhanced Buffer
| 作者 | Xiao Zhao · Qisheng Zhang · Yaping Xin · Shuoyang Li · Lanya Yu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年8月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | 功率模块 储能变流器PCS 光伏逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | 低压差线性稳压器 LDO 瞬态电流增强缓冲器 电流并联反馈 负载瞬态响应 功率晶体管 输出阻抗 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种新型低阻抗瞬态电流增强(LTE)缓冲器,应用于大外置电容的低压差线性稳压器(LDO)。该缓冲器基于电流分流反馈技术和两个交流耦合网络,能够实现极低的输出阻抗,并在负载瞬态响应期间为功率晶体管栅极提供高充放电电流。
English Abstract
This article proposes a new low-impedance transient-current enhanced (LTE) buffer, which is applied for low-dropout regulator (LDO) with large off-chip capacitor. The LTE buffer is based on current-shunt feedback technique and two ac coupling networks, which can achieve an extremely low output impedance and high charging/discharging current of the gate of power transistor at load transient respons...
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SunView 深度解读
该技术主要涉及电源管理芯片(PMIC)内部的LDO设计,属于电力电子系统的底层控制电路范畴。对于阳光电源而言,该技术可提升光伏逆变器及储能变流器(如PowerTitan、ST系列PCS)内部控制板卡的供电稳定性与瞬态响应速度。在高频开关环境下,更优的LDO性能有助于降低控制信号的抖动,提升系统抗干扰能力。建议研发团队关注该拓扑在高性能DSP/FPGA供电电路中的应用,以优化控制系统的可靠性与动态性能。