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单片式反向阻断1.2 kV 4H-SiC功率晶体管：一种用于电流源逆变器应用的新型单芯片三端器件
Monolithic Reverse Blocking 1.2 kV 4H-SiC Power Transistor: A Novel, Single-Chip, Three-Terminal Device for Current Source Inverter Applications
| 作者 | Ajit Kanale · Aditi Agarwal · B. Jayant Baliga · Subhashish Bhattacharya |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 三相逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 4H-SiC 功率晶体管 反向阻断 电流源逆变器 JBS二极管 电力电子 宽禁带 |
语言:
中文摘要
电流源逆变器（CSI）要求功率开关具备第一象限导通、门极控制及反向阻断能力。本文展示了一种适用于CSI应用的SiC单片反向阻断晶体管（MRBT）。该器件通过集成SiC JBS二极管与SiC功率晶体管实现，为优化逆变器拓扑提供了新型单芯片解决方案。
English Abstract
Current sourceinverters (CSIs) require power switches with first quadrant current conduction and gate-controlled output characteristics as well as reverse blocking capability. Experimental demonstration of a SiC monolithic reverse blocking transistor (MRBT) suitable for CSI applications is described in this letter. The proposed device is based on the integration of a SiC JBS diode with a SiC power...
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SunView 深度解读
该研究提出的单片反向阻断SiC器件（MRBT）对阳光电源的功率变换技术具有重要参考价值。在电流源逆变器（CSI）应用中，该器件可简化电路拓扑，减少分立器件数量，从而提升系统功率密度和可靠性。对于阳光电源的组串式逆变器及储能变流器（PCS）产品线，若未来在特定高压或特殊拓扑场景下引入此类单芯片集成技术，将有助于进一步降低损耗并优化散热设计。建议研发团队关注该器件的量产可行性及长期可靠性测试，探索其在下一代高效率、高集成度光储变换器中的应用潜力。