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全碳化硅三相UPS模块中EMI产生、传播与抑制的三端共模EMI模型
Three-Terminal Common-Mode EMI Model for EMI Generation, Propagation, and Mitigation in a Full-SiC Three-Phase UPS Module
| 作者 | Sungjae Ohn · Jianghui Yu · Paul Rankin · Bingyao Sun · Rolando Burgos · Dushan Boroyevich · Harish Suryanarayana · Christopher Belcastro |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 三相逆变器 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET EMI 建模 共模噪声 UPS 电力电子 开关速度 电磁干扰 |
语言:
中文摘要
本文针对全碳化硅（SiC）三相UPS模块，建立了三端共模EMI模型，旨在分析SiC器件快速开关带来的电磁干扰问题。研究重点在于EMI的产生机理、传播路径及抑制策略，为提升SiC功率变换系统的电磁兼容性提供了理论支撑。
English Abstract
With superior loss characteristics, wide bandgap devices such as silicon carbide (SiC) mosfets are expected to replace Si-IGBTs in grid-connected applications. Uninterruptible power supply (UPS) is an application in which low conduction-loss and switching-loss from SiC devices can largely improve the system efficiency. However, fast switching of an SiC mosfet worsens the electromagnetic interferen...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要参考价值。随着公司产品全面向SiC器件切换以提升效率和功率密度，高频开关带来的EMI挑战日益严峻。本文提出的三端共模模型有助于研发团队在设计阶段精准预测并抑制EMI，优化PCB布局与滤波器设计，从而在满足严苛电磁兼容标准的前提下，进一步缩小产品体积，提升系统集成度与可靠性。