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利用开口绕组配置抑制SiC MOSFET驱动的电机过电压
Motor Overvoltage Mitigation on SiC MOSFET Drives Exploiting an Open-End Winding Configuration
| 作者 | Salvatore De Caro · Salvatore Foti · Tommaso Scimone · Antonio Testa · Giacomo Scelba · Mario Pulvirenti · Sebastiano Russo |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年11月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 三相逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★ 3.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 电机驱动 过电压抑制 电压反射 开绕组 电力电子 开关瞬态 |
语言:
中文摘要
由于SiC MOSFET具有极短的开关时间和高开关频率，电力电缆上的电压反射现象对交流电机驱动系统构成严重威胁。传统的RLC抑制网络会增加成本并降低效率。本文提出了一种完全不同的过电压抑制方法，通过采用开口绕组配置来缓解电机端的过电压问题。
English Abstract
Voltage wave reflection phenomena along power cables are particularly threatening on ac motor drives equipped with silicon carbide power mosfets due to very short switching times and high switching frequency. Overvoltage suppression resistance inductance capacitance (RLC) networks are usually added but leading to extra cost and a lower efficiency. A completely different overvoltage mitigation appr...
S
SunView 深度解读
该研究聚焦于SiC器件在高频开关下的电压反射与过电压抑制，这对阳光电源的功率变换技术具有参考价值。虽然阳光电源的核心业务侧重于光伏逆变器和储能PCS，但随着公司在电动汽车充电桩及风电变流器领域的深入，SiC的应用日益广泛。该文提出的开口绕组配置及无源抑制优化思路，可为公司在开发高功率密度、高开关频率的SiC变流器产品时，提供降低EMI及提升系统可靠性的技术储备，有助于优化驱动电路设计并减少对额外RLC滤波器的依赖。