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基于10kV SiC MOSFET的固态变压器三相有源前端变换器系统
A Three-Phase Active-Front-End Converter System Enabled by 10-kV SiC MOSFETs Aimed at a Solid-State Transformer Application
| 作者 | Anup Anurag · Sayan Acharya · Nithin Kolli · Subhashish Bhattacharya · Todd R. Weatherford · Andrew A. Parker |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 三相逆变器 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 固态变压器 有源前端变换器 高压器件 电力电子 三相变换器 |
语言:
中文摘要
本文探讨了高压碳化硅（SiC）器件在固态变压器中的应用。通过使用10kV SiC MOSFET，可省去复杂的多电平级联结构，简化三相两电平电压源变换器系统，从而提升系统的可靠性与控制简便性。
English Abstract
The use of high-voltage silicon carbide (SiC) devices can eliminate multilevel and cascaded converters and their complicated control strategies, making converter systems simple and reliable. A three-phase two-level voltage-source converter system serves as a simple converter system for interfacing any dc source to a three-phase grid. However, when the high-voltage devices are used in two-level con...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。10kV SiC器件的应用有望简化高压侧变换器拓扑，减少级联模块数量，从而降低系统复杂度和故障率，提升功率密度。建议研发团队关注超高压SiC器件的封装散热及驱动保护技术，探索其在兆瓦级光储系统中的应用潜力，以进一步优化系统效率并降低运维成本。