← 返回
在SiC基逆变器中使用反并联SiC SBD的准则
Criteria for Using Antiparallel SiC SBDs With SiC mosfets for SiC-Based Inverters
| 作者 | Koji Yamaguchi · Kenshiro Katsura · Tatsuro Yamada · Yukihiko Sato |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 并网逆变器 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET SiC SBD 逆变器损耗 EMI 功率密度 宽禁带 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文证实，在基于碳化硅（SiC）的逆变器中移除反并联SiC肖特基势垒二极管（SBD）不仅不会对逆变器损耗和电磁干扰（EMI）产生负面影响，反而能在多数情况下降低损耗并减少噪声排放，从而为提升功率密度提供了技术路径。
English Abstract
The paper confirms that removing antiparallel silicon carbide (SiC) Schottky barrier diodes (SBDs) from SiC-based inverters offers positive effects without critical impact on inverter loss and electromagnetic interference (EMI) issues, moreover, the removal of SBDs reduces the inverter losses in many cases and noise emissions. This conclusion leads to the possibility to improve the power densities...
S
SunView 深度解读
该研究对阳光电源的组串式光伏逆变器及PowerTitan系列储能变流器（PCS）具有重要指导意义。通过优化SiC功率模块的内部封装设计，去除冗余的SBD，不仅能降低物料成本，还能显著提升整机效率和功率密度，助力产品小型化。建议研发团队在下一代高频SiC逆变器设计中评估该方案，利用SiC MOSFET体二极管的特性替代外置SBD，以优化EMI性能并降低系统散热压力，进一步提升产品在工商业及地面电站场景下的竞争力。