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基于数据手册参数的半桥MOSFET开关损耗分析建模
Analytical Switching Loss Modeling Based on Datasheet Parameters for mosfets in a Half-Bridge
| 作者 | Daniel Christen · Jurgen Biela |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 SiC器件 GaN器件 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 开关损耗 MOSFET 宽禁带器件 SiC GaN 解析建模 数据手册参数 |
语言:
中文摘要
现代宽禁带器件（如SiC或GaN）显著降低了开关损耗，引发了对软开关模式必要性的探讨。由于大多数半导体器件仅提供有限的损耗估算信息，在宽运行范围内进行精确损耗评估通常需要大量实验测量。本文提出了一种基于数据手册参数的分析建模方法，旨在简化开关损耗的评估过程。
English Abstract
Modern wide-bandgap devices, such as SiC- or GaN-based devices, feature significantly reduced switching losses, and the question arises if soft-switching operating modes are still beneficial. For most of the semiconductor devices, only limited information is available to estimate the switching losses. Especially, if a wide operating range is desired, excessive measurements have to be performed to ...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着公司在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统中大规模应用SiC MOSFET，精确的损耗建模能显著提升产品效率评估的准确性，并缩短研发周期。通过该分析模型，研发团队可在设计阶段快速评估不同SiC器件在宽电压范围下的表现，优化散热设计与驱动电路，从而提升逆变器和PCS的功率密度。建议将此建模方法集成至iSolarCloud的仿真分析模块中，为复杂工况下的系统效率优化提供理论支撑。