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面向多种宽禁带应用、具有超高dV/dt抗扰度的亚纳秒级电平转换器设计技术
Design Techniques of Sub-ns Level Shifters With Ultrahigh dV/dt Immunity for Various Wide-Bandgap Applications
| 作者 | Jianwen Cao · Ze-kun Zhou · Zhuo Wang · He Tang · Bo Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 SiC器件 GaN器件 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 高频栅极驱动器 宽禁带应用 dV/dt 抗扰度 电平转换器 传输延迟 信号转换 电力电子 |
语言:
中文摘要
在高频栅极驱动器中，宽禁带半导体器件会产生极高的dV/dt噪声。本文提出了一种具有超高dV/dt抗扰度的亚纳秒级延迟电平转换器设计技术，旨在解决不同电压域之间的信号转换难题，提升高频功率变换系统的可靠性与控制精度。
English Abstract
In high-frequency gate drivers, especially for wide-bandgap applications, hundreds of voltages per nanosecond noise would be generated. Therefore, the sub-ns delay level shifter with high dV/dt immunity is necessary for signal conversion among different voltage domain areas. This article presents design techniques for the sub-ns delay level shifter with ultrahigh dV/dt immunity. The propagation de...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心业务至关重要。随着SiC和GaN器件在组串式光伏逆变器（如SG系列）及储能变流器（如PowerTitan系列）中的广泛应用，开关频率不断提升，高dV/dt带来的共模噪声干扰成为驱动电路设计的瓶颈。该亚纳秒级电平转换技术能显著提升驱动信号的抗干扰能力，降低开关损耗，有助于进一步缩小功率模块体积并提升整机功率密度。建议研发团队在下一代高频化、高功率密度的PCS及逆变器驱动电路设计中引入该抗干扰方案，以优化系统电磁兼容性（EMC）表现。